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GaAs体材料及其量子阱的光学极化退相特性

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邓莉, 寿倩, 刘叶新, 张海潮, 赖天树, 林位株. 2004: GaAs体材料及其量子阱的光学极化退相特性, 物理学报, 53(2): 640-645. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.058
引用本文: 邓莉, 寿倩, 刘叶新, 张海潮, 赖天树, 林位株. 2004: GaAs体材料及其量子阱的光学极化退相特性, 物理学报, 53(2): 640-645. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.058
shu
2004: Mechanism of optical polarization dephasing in bulk GaAs and multiple quantum wells, Acta Physica Sinica, 53(2): 640-645. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.058
Citation: 2004: Mechanism of optical polarization dephasing in bulk GaAs and multiple quantum wells, Acta Physica Sinica, 53(2): 640-645. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.058
shu

GaAs体材料及其量子阱的光学极化退相特性

  • 中山大学光电子材料与技术国家重点实验室/物理系,广州,510275

Mechanism of optical polarization dephasing in bulk GaAs and multiple quantum wells

  • 摘要: 采用飞秒时间分辨瞬态简并四波混频技术,在室温下测量了GaAs体材料及其量子阱材料GaAs/Al0.3Ga0.7As的光学极化超快退相时间,当激光中心波长为785nm,受激载流子浓度为1011cm-2时,它们的退相时间分别为28fs和46fs.量子阱材料的退相时间比体材料的长,这是由于量子阱中的载流子在垂直于GaAs/AlGaAs界面的运动受到限制,运动呈现二维特性,大大减小了载流子的散射概率.实验中观察到瞬态简并四波混频信号的强弱与入射光的强度和偏振方向有关,利用三阶非线性密度矩阵元的理论模型解释了这些实验现象.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-02-28

GaAs体材料及其量子阱的光学极化退相特性

  • 中山大学光电子材料与技术国家重点实验室/物理系,广州,510275

摘要: 采用飞秒时间分辨瞬态简并四波混频技术,在室温下测量了GaAs体材料及其量子阱材料GaAs/Al0.3Ga0.7As的光学极化超快退相时间,当激光中心波长为785nm,受激载流子浓度为1011cm-2时,它们的退相时间分别为28fs和46fs.量子阱材料的退相时间比体材料的长,这是由于量子阱中的载流子在垂直于GaAs/AlGaAs界面的运动受到限制,运动呈现二维特性,大大减小了载流子的散射概率.实验中观察到瞬态简并四波混频信号的强弱与入射光的强度和偏振方向有关,利用三阶非线性密度矩阵元的理论模型解释了这些实验现象.

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