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用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构

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徐岳生, 唐蕾, 王海云, 刘彩池, 郝景臣. 2004: 用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构, 物理学报, 53(2): 651-655. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.060
引用本文: 徐岳生, 唐蕾, 王海云, 刘彩池, 郝景臣. 2004: 用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构, 物理学报, 53(2): 651-655. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.060
shu
2004: Study on the cell structure in semi-insulation gallium arsenide, Acta Physica Sinica, 53(2): 651-655. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.060
Citation: 2004: Study on the cell structure in semi-insulation gallium arsenide, Acta Physica Sinica, 53(2): 651-655. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.02.060
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用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构

  • 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130

  • 中国信息产业部1413所,石家庄,050051

Study on the cell structure in semi-insulation gallium arsenide

  • 摘要: 通过x射线异常透射形貌(XRT),化学腐蚀显微观察和电子显微技术(TEM)研究了液封直拉(LEC)法生长的半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑,分析了该结构的形成机理与过程.认为这是由高密度位错(EPD)运动和反应所形成的小角度晶界的集合群.
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出版历程

用x射线形貌研究半绝缘砷化镓单晶胞状结构

  • 河北工业大学材料学院信息功能材料研究所,天津,300130
  • 中国信息产业部1413所,石家庄,050051

摘要: 通过x射线异常透射形貌(XRT),化学腐蚀显微观察和电子显微技术(TEM)研究了液封直拉(LEC)法生长的半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中蜂窝状胞状结构,从晶体生长和冷却过程的热应力、弹性形变引起位错的运动和反应考虑,分析了该结构的形成机理与过程.认为这是由高密度位错(EPD)运动和反应所形成的小角度晶界的集合群.

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