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HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂

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仇志军, 桂永胜, 疏小舟, 戴宁, 郭少令, 褚君浩. 2004: HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂, 物理学报, 53(4): 1186-1190. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.039
引用本文: 仇志军, 桂永胜, 疏小舟, 戴宁, 郭少令, 褚君浩. 2004: HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂, 物理学报, 53(4): 1186-1190. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.039
shu
2004: Giant Rashba spin splitting in HgTe/HgCdTe quantum wells, Acta Physica Sinica, 53(4): 1186-1190. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.039
Citation: 2004: Giant Rashba spin splitting in HgTe/HgCdTe quantum wells, Acta Physica Sinica, 53(4): 1186-1190. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.039
shu

HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

Giant Rashba spin splitting in HgTe/HgCdTe quantum wells

  • 摘要: 主要研究具有倒置能带结构的n-HgTe/HgCdTe第三类量子阱Shubnikov-de Haas(SdH)振荡中的拍频现象.发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析:SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中拍频节点分析和对SdH振荡拍频数值拟合,得到了完全一致的电子Rashb8自旋分裂能量(28-36 meV).
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-04-30

HgTe/HgCdTe量子阱中巨大电子Rashba自旋分裂

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 主要研究具有倒置能带结构的n-HgTe/HgCdTe第三类量子阱Shubnikov-de Haas(SdH)振荡中的拍频现象.发现在量子阱中电子存在强烈的Rashba自旋分裂,通过对SdH振荡进行三种不同方法的分析:SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换、SdH振荡中拍频节点分析和对SdH振荡拍频数值拟合,得到了完全一致的电子Rashb8自旋分裂能量(28-36 meV).

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