用Ξ形四能级模型研究非对称耦合量子阱非定域激子复合发光

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胡振华, 黄德修. 2004: 用Ξ形四能级模型研究非对称耦合量子阱非定域激子复合发光, 物理学报, 53(4): 1195-1200. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.041
引用本文: 胡振华, 黄德修. 2004: 用Ξ形四能级模型研究非对称耦合量子阱非定域激子复合发光, 物理学报, 53(4): 1195-1200. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.041
2004: Study of luminescence due to delocalized exciton recombination in asymmetric-coupled quantum well structure based on Ξ-type configuration, Acta Physica Sinica, 53(4): 1195-1200. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.041
Citation: 2004: Study of luminescence due to delocalized exciton recombination in asymmetric-coupled quantum well structure based on Ξ-type configuration, Acta Physica Sinica, 53(4): 1195-1200. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.041

用Ξ形四能级模型研究非对称耦合量子阱非定域激子复合发光

Study of luminescence due to delocalized exciton recombination in asymmetric-coupled quantum well structure based on Ξ-type configuration

  • 摘要: 基于Ξ形四能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称量子阱中非定域激子复合发光特性.理论结果表明:非定域激子复合发光具有双峰特征,两峰相对于中心跃迁频率的红移和蓝移量与电子和空穴的振荡频率密切相关.与单量子阱相比,这种频率移动对外加电场相当敏感,即当外加反向电场作小的变化时,两峰有较大的移动,表现强量子限域斯塔克效应.这意味着利用非对称量子阱在新一代高速调制器和光开关中具有潜在的应用价值.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-04-30

用Ξ形四能级模型研究非对称耦合量子阱非定域激子复合发光

  • 华中科技大学光电子工程系,武汉,430074;武汉理工大学物理系,武汉,430063
  • 华中科技大学光电子工程系,武汉,430074

摘要: 基于Ξ形四能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称量子阱中非定域激子复合发光特性.理论结果表明:非定域激子复合发光具有双峰特征,两峰相对于中心跃迁频率的红移和蓝移量与电子和空穴的振荡频率密切相关.与单量子阱相比,这种频率移动对外加电场相当敏感,即当外加反向电场作小的变化时,两峰有较大的移动,表现强量子限域斯塔克效应.这意味着利用非对称量子阱在新一代高速调制器和光开关中具有潜在的应用价值.

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