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六方InN薄膜的载流子输运特性研究

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潘葳, 沈文忠. 2004: 六方InN薄膜的载流子输运特性研究, 物理学报, 53(5): 1501-1506. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.042
引用本文: 潘葳, 沈文忠. 2004: 六方InN薄膜的载流子输运特性研究, 物理学报, 53(5): 1501-1506. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.042
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2004: Carrier transport characteristics in hexagonal InN thin films, Acta Physica Sinica, 53(5): 1501-1506. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.042
Citation: 2004: Carrier transport characteristics in hexagonal InN thin films, Acta Physica Sinica, 53(5): 1501-1506. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.042
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六方InN薄膜的载流子输运特性研究

  • 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200030

Carrier transport characteristics in hexagonal InN thin films

  • 摘要: 通过变温(10-300K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs(111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程.在晶界势垒模型的基础上,发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度,载流子输运特性是由于空穴在晶界处的积累决定的.从获得的InN薄膜晶界势垒高度,可以估算出InN薄膜内的缺陷浓度,结果与显微拉曼散射实验结果相一致,这进一步说明了晶界势垒模型适用于描述InN中的载流子输运特性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-05-30

六方InN薄膜的载流子输运特性研究

  • 上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海,200030

摘要: 通过变温(10-300K)暗电流特性研究了射频磁控溅射法生长在半绝缘GaAs(111)衬底上的六方InN薄膜的载流子输运过程.在晶界势垒模型的基础上,发现InN薄膜的电导特性取决于材料内部的晶界势垒高度,载流子输运特性是由于空穴在晶界处的积累决定的.从获得的InN薄膜晶界势垒高度,可以估算出InN薄膜内的缺陷浓度,结果与显微拉曼散射实验结果相一致,这进一步说明了晶界势垒模型适用于描述InN中的载流子输运特性.

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