(Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究

上一篇

下一篇

郭旭光, 陈效双, 孙沿林, 周孝好, 孙立忠, 陆卫. 2004: (Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究, 物理学报, 53(5): 1516-1519. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.045
引用本文: 郭旭光, 陈效双, 孙沿林, 周孝好, 孙立忠, 陆卫. 2004: (Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究, 物理学报, 53(5): 1516-1519. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.045
2004: The effect of Mn disorder on the electronic and magnetic properties of (Ga,Mn) As:A first principles study, Acta Physica Sinica, 53(5): 1516-1519. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.045
Citation: 2004: The effect of Mn disorder on the electronic and magnetic properties of (Ga,Mn) As:A first principles study, Acta Physica Sinica, 53(5): 1516-1519. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.05.045

(Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究

The effect of Mn disorder on the electronic and magnetic properties of (Ga,Mn) As:A first principles study

  • 摘要: 用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体(Ga,Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响.计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按铁磁序排列.Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变.Mn分布无序使空穴的局域性加强.总能计算结果表明(Ga,Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  413
  • HTML全文浏览数:  62
  • PDF下载数:  37
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2004-05-30

(Ga,Mn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 用基于第一性原理的赝势平面波方法计算了稀磁半导体(Ga,Mn)As中磁性杂质Mn分布无序对其电子结构和磁性的影响.计算结果表明代替Ga位的Mn原子的自旋按铁磁序排列.Mn掺杂导致了显著的局部晶格畸变.Mn分布无序使空穴的局域性加强.总能计算结果表明(Ga,Mn)As体系中Mn原子趋向于形成Mn团簇.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回