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离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

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李金华, 袁宁一. 2004: 离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数, 物理学报, 53(8): 2683-2686. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.047
引用本文: 李金华, 袁宁一. 2004: 离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数, 物理学报, 53(8): 2683-2686. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.047
shu
2004: Temperature coefficient of resistance of VO2 polycrystalline film formed by ion beam enhanced deposition, Acta Physica Sinica, 53(8): 2683-2686. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.047
Citation: 2004: Temperature coefficient of resistance of VO2 polycrystalline film formed by ion beam enhanced deposition, Acta Physica Sinica, 53(8): 2683-2686. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.047
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离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

  • 江苏工业学院信息科学系,常州,213016

Temperature coefficient of resistance of VO2 polycrystalline film formed by ion beam enhanced deposition

  • 摘要: 用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积VO2多晶薄膜的TCR高于Vox薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的Vox薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原因.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-08-30

离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

  • 江苏工业学院信息科学系,常州,213016

摘要: 用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积VO2多晶薄膜的TCR高于Vox薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的Vox薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原因.

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