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多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为

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徐大印, 刘彦平, 何志巍, 方泽波, 刘雪芹, 王印月. 2004: 多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为, 物理学报, 53(8): 2694-2698. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.049
引用本文: 徐大印, 刘彦平, 何志巍, 方泽波, 刘雪芹, 王印月. 2004: 多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为, 物理学报, 53(8): 2694-2698. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.049
shu
2004: The behavior of photoluminescence from SiC:Tb films deposited on porous silicon substrate, Acta Physica Sinica, 53(8): 2694-2698. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.049
Citation: 2004: The behavior of photoluminescence from SiC:Tb films deposited on porous silicon substrate, Acta Physica Sinica, 53(8): 2694-2698. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.049
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多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

The behavior of photoluminescence from SiC:Tb films deposited on porous silicon substrate

  • 摘要: 在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC:Tb薄膜.对样品在N2中进行了不同温度的退火处理.用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化,发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象.分析了产生这种现象的机理,得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的,而可见区的发光是由于Tb离子产生的.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-08-30

多孔硅衬底上溅射沉积SiC:Tb薄膜的光致发光行为

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

摘要: 在多孔硅衬底上用射频溅射法沉积了非晶的SiC:Tb薄膜.对样品在N2中进行了不同温度的退火处理.用傅里叶红外变换谱分析了样品的结构.用荧光光谱仪测试了样品的光致发光,在紫外、可见光区域观测到了强的发光峰.发现随着衬底加热温度和样品退火温度的变化,发光峰有明显的强度变化和微弱的蓝移现象.分析了产生这种现象的机理,得出了紫外区域的发光峰是由于氧缺乏中心引起的,而可见区的发光是由于Tb离子产生的.

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