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Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究

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朋兴平, 兰伟, 谭永胜, 佟立国, 王印月. 2004: Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究, 物理学报, 53(8): 2705-2709. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.051
引用本文: 朋兴平, 兰伟, 谭永胜, 佟立国, 王印月. 2004: Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究, 物理学报, 53(8): 2705-2709. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.051
shu
2004: Photoluminescent properties of Cu-doped ZnO thin films, Acta Physica Sinica, 53(8): 2705-2709. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.051
Citation: 2004: Photoluminescent properties of Cu-doped ZnO thin films, Acta Physica Sinica, 53(8): 2705-2709. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.051
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Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究

  • 兰州大学物理系,兰州,730000

Photoluminescent properties of Cu-doped ZnO thin films

  • 摘要: 通过射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜.室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,所有样品的PL谱中均观察到435 nm左右的蓝光发光带,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关.当溅射功率为150 W,Cu掺杂量为2.5%时,ZnO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光双峰,而溅射功率为100W,Cu掺杂量为1.5%时,出现了位于437 nm(2.84 eV)处较强的蓝光峰,后者的取向性较好.还研究了掺杂量和溅射功率对发光特性的影响,并对样品的蓝光发光机制进行了探讨.
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出版历程

Cu掺杂氧化锌薄膜的发光特性研究

  • 兰州大学物理系,兰州,730000

摘要: 通过射频反应溅射法在Si(111)衬底上制备了不同Cu掺杂量的ZnO薄膜.室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,所有样品的PL谱中均观察到435 nm左右的蓝光发光带,该发光带的强度与Cu掺杂量和溅射功率有关.当溅射功率为150 W,Cu掺杂量为2.5%时,ZnO薄膜的PL谱中出现了较强的蓝光双峰,而溅射功率为100W,Cu掺杂量为1.5%时,出现了位于437 nm(2.84 eV)处较强的蓝光峰,后者的取向性较好.还研究了掺杂量和溅射功率对发光特性的影响,并对样品的蓝光发光机制进行了探讨.

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