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新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究

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童建农, 邹雪城, 沈绪榜. 2004: 新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究, 物理学报, 53(9): 2905-2909. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.018
引用本文: 童建农, 邹雪城, 沈绪榜. 2004: 新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究, 物理学报, 53(9): 2905-2909. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.018
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2004: Study on the corner effect in new grooved-gate nMOSFET, Acta Physica Sinica, 53(9): 2905-2909. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.018
Citation: 2004: Study on the corner effect in new grooved-gate nMOSFET, Acta Physica Sinica, 53(9): 2905-2909. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.09.018
shu

新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究

  • 华中科技大学图像所IC设计中心,武汉,430073

  • 华中科技大学图像所IC设计中心,武汉,430073;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430073

Study on the corner effect in new grooved-gate nMOSFET

  • 摘要: 应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响.槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的,并且拐角结构在45°左右时拐角效应最大.调节拐角与其他结构参数,器件的热载流子效应、阈值电压特性、亚阈值特性、输出特性等都会有较大的变化.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-09-30

新型槽栅nMOSFET凹槽拐角效应的模拟研究

  • 华中科技大学图像所IC设计中心,武汉,430073
  • 华中科技大学图像所IC设计中心,武汉,430073;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430073

摘要: 应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载流子效应、阈值电压特性等的影响.槽栅结构的凹槽拐角效应对抑制短沟道效应和抗热载流子效应是十分有利的,并且拐角结构在45°左右时拐角效应最大.调节拐角与其他结构参数,器件的热载流子效应、阈值电压特性、亚阈值特性、输出特性等都会有较大的变化.

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