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多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制

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黄锐, 林璇英, 余云鹏, 林揆训, 姚若河, 黄文勇, 魏俊红, 王照奎, 余楚迎. 2004: 多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制, 物理学报, 53(11): 3950-3955. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.061
引用本文: 黄锐, 林璇英, 余云鹏, 林揆训, 姚若河, 黄文勇, 魏俊红, 王照奎, 余楚迎. 2004: 多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制, 物理学报, 53(11): 3950-3955. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.061
shu
2004: Control of grain size during low-temperature growth of polycrystalline silicon films, Acta Physica Sinica, 53(11): 3950-3955. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.061
Citation: 2004: Control of grain size during low-temperature growth of polycrystalline silicon films, Acta Physica Sinica, 53(11): 3950-3955. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.11.061
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多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制

  • 汕头大学物理系,汕头,515063

  • 华南理工大学应用物理系,广州,510641

  • 广东韩山师范学院物理系,潮州,521041

Control of grain size during low-temperature growth of polycrystalline silicon films

  • 摘要: 以SiCl4-H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜.实验发现,在多晶硅薄膜的生长过程中,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素,随功率、H2/SiCl4流量比的减小和反应室气压的增加,晶粒增大.而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数,通过工艺参数的改变,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化,指出"气相结晶"过程是晶粒长大的一个重要因素.
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出版历程
  • 刊出日期:  2004-11-30

多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制

  • 汕头大学物理系,汕头,515063
  • 华南理工大学应用物理系,广州,510641
  • 广东韩山师范学院物理系,潮州,521041

摘要: 以SiCl4-H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜.实验发现,在多晶硅薄膜的生长过程中,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素,随功率、H2/SiCl4流量比的减小和反应室气压的增加,晶粒增大.而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数,通过工艺参数的改变,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化,指出"气相结晶"过程是晶粒长大的一个重要因素.

English Abstract

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