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Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性

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崔玉亭, 陈京兰, 刘国栋, 吴光恒, 廖克俊, 王万录. 2005: Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性, 物理学报, 54(1): 263-268. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.048
引用本文: 崔玉亭, 陈京兰, 刘国栋, 吴光恒, 廖克俊, 王万录. 2005: Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性, 物理学报, 54(1): 263-268. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.048
shu
2005: Characteristics of the premartensitic transition in the Ni50.5Mn24.5Ga25 single crystals, Acta Physica Sinica, 54(1): 263-268. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.048
Citation: 2005: Characteristics of the premartensitic transition in the Ni50.5Mn24.5Ga25 single crystals, Acta Physica Sinica, 54(1): 263-268. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.048
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Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性

  • 商丘师范学院物理系,河南,476000;中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京,100080;重庆大学理学院应用物理系,重庆,400044

  • 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京,100080

  • 重庆大学理学院应用物理系,重庆,400044

Characteristics of the premartensitic transition in the Ni50.5Mn24.5Ga25 single crystals

  • 摘要: 通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的预相变应变、磁致伸缩和磁化强度测量,系统研究了近正配分比Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性.在自由样品中观察到预马氏体相变应变.在预相变点,沿[010]方向施加大小约为80kA/m的磁场,在晶体母相的[001]方向上获得了高达505ppm的磁致伸缩,该值是相同条件下晶体母相磁致伸缩量的5倍多.同时,报道了不同方向磁场对预相变应变干预的结果.利用软模凝结的概念和依据单晶生长的特点,分析了预相变应变产生的机理.而磁场干预预相变应变的机理是磁场增大的磁弹耦合导致的晶格形变与材料内禀形变的竞争.利用磁性测量结果证实和解释了预相变过程中[001]和[010]轴方向间进一步增大的各向异性.进而对磁场沿[001]和[010]两个晶体学方向所导致的应变特性的差别,包括最大磁致伸缩、饱和预相变应变、饱和场等,进行了分析和讨论.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-01-30

Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性

  • 商丘师范学院物理系,河南,476000;中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京,100080;重庆大学理学院应用物理系,重庆,400044
  • 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京,100080
  • 重庆大学理学院应用物理系,重庆,400044

摘要: 通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的预相变应变、磁致伸缩和磁化强度测量,系统研究了近正配分比Ni50.5Mn24.5Ga25单晶的预马氏体相变特性.在自由样品中观察到预马氏体相变应变.在预相变点,沿[010]方向施加大小约为80kA/m的磁场,在晶体母相的[001]方向上获得了高达505ppm的磁致伸缩,该值是相同条件下晶体母相磁致伸缩量的5倍多.同时,报道了不同方向磁场对预相变应变干预的结果.利用软模凝结的概念和依据单晶生长的特点,分析了预相变应变产生的机理.而磁场干预预相变应变的机理是磁场增大的磁弹耦合导致的晶格形变与材料内禀形变的竞争.利用磁性测量结果证实和解释了预相变过程中[001]和[010]轴方向间进一步增大的各向异性.进而对磁场沿[001]和[010]两个晶体学方向所导致的应变特性的差别,包括最大磁致伸缩、饱和预相变应变、饱和场等,进行了分析和讨论.

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