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部分空气桥式硅膜二维光子晶体

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田洁, 韩守振, 程丙英, 李志远, 冯帅, 张道中, 金爱子. 2005: 部分空气桥式硅膜二维光子晶体, 物理学报, 54(3): 1218-1221. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.038
引用本文: 田洁, 韩守振, 程丙英, 李志远, 冯帅, 张道中, 金爱子. 2005: 部分空气桥式硅膜二维光子晶体, 物理学报, 54(3): 1218-1221. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.038
shu
Tian Jie, Han Shou-Zhen, CHENG Bing-ying, LI Zhi-yuan, Feng Shuai, ZHANG Dao-Zhong, Jin Ai-Zi. 2005: Two-dimensional silicon-based photonic crystal slab with partial air-bridge, Acta Physica Sinica, 54(3): 1218-1221. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.038
Citation: Tian Jie, Han Shou-Zhen, CHENG Bing-ying, LI Zhi-yuan, Feng Shuai, ZHANG Dao-Zhong, Jin Ai-Zi. 2005: Two-dimensional silicon-based photonic crystal slab with partial air-bridge, Acta Physica Sinica, 54(3): 1218-1221. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.038
shu

部分空气桥式硅膜二维光子晶体

  • 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心光物理开放实验室,北京,100080

  • 中国科学院物理研究所,微加工实验室,北京,100080

Two-dimensional silicon-based photonic crystal slab with partial air-bridge

  • 摘要: 描述在Si基底上制备带隙在近红外波段部分空气桥式二维光子晶体(PC).选用HF酸溶液作为腐蚀液,利用聚焦离子束刻蚀技术直接刻蚀出具有三角形空气洞结构的二维PC,并测出了二维PC完整的第一带隙透过谱的带隙范围为1.23-1.55μm.实验测得的透过谱与理论计算的空气桥式二维PC的计算结果一致.类TM0模的存在减小了带隙的宽度.由于部分SiO2支撑桥式平板,二维PC易于按所需尺寸进行制备.同时,通过改变平板下的支撑材料,可以制出有源的PC,利用这种机理可以把光从支撑材料中引出.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-03-30

部分空气桥式硅膜二维光子晶体

  • 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心光物理开放实验室,北京,100080
  • 中国科学院物理研究所,微加工实验室,北京,100080

摘要: 描述在Si基底上制备带隙在近红外波段部分空气桥式二维光子晶体(PC).选用HF酸溶液作为腐蚀液,利用聚焦离子束刻蚀技术直接刻蚀出具有三角形空气洞结构的二维PC,并测出了二维PC完整的第一带隙透过谱的带隙范围为1.23-1.55μm.实验测得的透过谱与理论计算的空气桥式二维PC的计算结果一致.类TM0模的存在减小了带隙的宽度.由于部分SiO2支撑桥式平板,二维PC易于按所需尺寸进行制备.同时,通过改变平板下的支撑材料,可以制出有源的PC,利用这种机理可以把光从支撑材料中引出.

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