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Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

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胡昉, 张寒洁, 吕斌, 陶永升, 李海洋, 鲍世宁, 何丕模, 王学森. 2005: Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究, 物理学报, 54(3): 1330-1333. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.057
引用本文: 胡昉, 张寒洁, 吕斌, 陶永升, 李海洋, 鲍世宁, 何丕模, 王学森. 2005: Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究, 物理学报, 54(3): 1330-1333. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.057
shu
Hu Fang, ZHANG Han-jie, Lü Bin, TAO Yong-sheng, Li Hai-Yang, BAO SHI-NING, HE PI-MO, X.S. Wang. 2005: Growth and characteristics of Ge on Ru(0001), Acta Physica Sinica, 54(3): 1330-1333. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.057
Citation: Hu Fang, ZHANG Han-jie, Lü Bin, TAO Yong-sheng, Li Hai-Yang, BAO SHI-NING, HE PI-MO, X.S. Wang. 2005: Growth and characteristics of Ge on Ru(0001), Acta Physica Sinica, 54(3): 1330-1333. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.057
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Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

  • 浙江大学物理系,杭州,310027

  • 新加坡国立大学物理系,新加坡,119260

Growth and characteristics of Ge on Ru(0001)

  • 摘要: 报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜(STM)和x射线光电子能谱(XPS)研究.STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski-Krastanov生长模式,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长,而从第二层开始呈岛状生长.XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱.Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于279.8和284.0 eV.随着Ge的生长,到Ge层的厚度为20个单原子层,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约0.2 eV,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的28.9 eV增加到了29.0 eV,其相对位移约为0.1 eV.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-03-30

Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

  • 浙江大学物理系,杭州,310027
  • 新加坡国立大学物理系,新加坡,119260

摘要: 报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜(STM)和x射线光电子能谱(XPS)研究.STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski-Krastanov生长模式,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长,而从第二层开始呈岛状生长.XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱.Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于279.8和284.0 eV.随着Ge的生长,到Ge层的厚度为20个单原子层,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约0.2 eV,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的28.9 eV增加到了29.0 eV,其相对位移约为0.1 eV.

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