高级搜索

单根纳米导线场发射增强因子的计算

,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

王新庆, 王淼, 李振华, 杨兵, 王凤飞, 何丕模, 徐亚伯. 2005: 单根纳米导线场发射增强因子的计算, 物理学报, 54(3): 1347-1351. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.060
引用本文: 王新庆, 王淼, 李振华, 杨兵, 王凤飞, 何丕模, 徐亚伯. 2005: 单根纳米导线场发射增强因子的计算, 物理学报, 54(3): 1347-1351. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.060
shu
WANG Xin-qing, Wang Miao, LI Zhen-Hua, Yang Bing, WANG Feng-fei, HE PI-MO, XU Ya-bo. 2005: Calculation of the enhancement factor for the individual conductive nanowire in field emission, Acta Physica Sinica, 54(3): 1347-1351. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.060
Citation: WANG Xin-qing, Wang Miao, LI Zhen-Hua, Yang Bing, WANG Feng-fei, HE PI-MO, XU Ya-bo. 2005: Calculation of the enhancement factor for the individual conductive nanowire in field emission, Acta Physica Sinica, 54(3): 1347-1351. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.060
shu

单根纳米导线场发射增强因子的计算

  • 浙江大学物理系,杭州,310027

  • 浙江大学力学系,杭州,310027

Calculation of the enhancement factor for the individual conductive nanowire in field emission

  • 摘要: 利用镜像电荷模型,对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算,得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为β0=h/ρ+3.5.若考虑极板间距对场增强因子的影响,则场增强因子的表达式调整为β=h/ρ+3.5+A(h/d)3,其中h,ρ分别为纳米导线的长度和半径,d为极板间距,A为常数.结果表明纳米导线的长径比对场增强因子的影响最显著,而极板间距对纳米导线的场增强因子只有微弱影响,随极板距离的增加而减小.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  466
  • HTML全文浏览数:  56
  • PDF下载数:  37
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2005-03-30

单根纳米导线场发射增强因子的计算

  • 浙江大学物理系,杭州,310027
  • 浙江大学力学系,杭州,310027

摘要: 利用镜像电荷模型,对静电场中单根纳米导线尖端的电势和电场进行计算,得到纳米导线发射体尖端场增强因子表达式为β0=h/ρ+3.5.若考虑极板间距对场增强因子的影响,则场增强因子的表达式调整为β=h/ρ+3.5+A(h/d)3,其中h,ρ分别为纳米导线的长度和半径,d为极板间距,A为常数.结果表明纳米导线的长径比对场增强因子的影响最显著,而极板间距对纳米导线的场增强因子只有微弱影响,随极板距离的增加而减小.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回