NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理

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刘红侠, 郑雪峰, 郝跃. 2005: NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理, 物理学报, 54(3): 1373-1377. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.065
引用本文: 刘红侠, 郑雪峰, 郝跃. 2005: NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理, 物理学报, 54(3): 1373-1377. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.065
Liu Hong-Xia, ZHENG Xue-feng, Hao Yue. 2005: Degradation and physical mechanism of NBT in deep submicron PMOSFET's, Acta Physica Sinica, 54(3): 1373-1377. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.065
Citation: Liu Hong-Xia, ZHENG Xue-feng, Hao Yue. 2005: Degradation and physical mechanism of NBT in deep submicron PMOSFET's, Acta Physica Sinica, 54(3): 1373-1377. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.065

NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理

Degradation and physical mechanism of NBT in deep submicron PMOSFET's

  • 摘要: 研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度(negative bias temperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与氢相关的元素的扩散,是PMOS器件中NBT效应产生的主要原因.指出NBT导致的PMOS器件退化依赖于反应机理和扩散机理两种机理的平衡.
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出版历程

NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理

  • 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071

摘要: 研究了深亚微米PMOS器件在负偏压温度(negative bias temperature,NBT)应力前后的电流电压特性随应力时间的退化,重点分析了NBT应力对PMOS器件阈值电压漂移的影响,通过实验证明了在栅氧化层和衬底界面附近的电化学反应和栅氧化层内与氢相关的元素的扩散,是PMOS器件中NBT效应产生的主要原因.指出NBT导致的PMOS器件退化依赖于反应机理和扩散机理两种机理的平衡.

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