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SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

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马建华, 孙璟兰, 孟祥建, 林铁, 石富文, 褚君浩. 2005: SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性, 物理学报, 54(3): 1390-1395. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.068
引用本文: 马建华, 孙璟兰, 孟祥建, 林铁, 石富文, 褚君浩. 2005: SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性, 物理学报, 54(3): 1390-1395. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.068
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Ma Jian-Hua, SUN Jing-Lan, MENG Xiang-Jian, Lin Tie, Shi Fu-Wen, CHU Jun-Hao. 2005: Dielectric and interface characteristics of SrTiO3 with a MIS structure, Acta Physica Sinica, 54(3): 1390-1395. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.068
Citation: Ma Jian-Hua, SUN Jing-Lan, MENG Xiang-Jian, Lin Tie, Shi Fu-Wen, CHU Jun-Hao. 2005: Dielectric and interface characteristics of SrTiO3 with a MIS structure, Acta Physica Sinica, 54(3): 1390-1395. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.068
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SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

Dielectric and interface characteristics of SrTiO3 with a MIS structure

  • 摘要: 采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-03-30

SrTiO3金属-绝缘体-半导体结构的介电与界面特性

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 采用金属有机分解法在p型Si衬底上制备了SiTiO3(STO)薄膜.研究了STO薄膜金属-绝缘体-半导体(MIS)结构的介电和界面特性.结果表明,STO薄膜显示出优异的介电性能,在10kHz处的介电常数约为105,损耗低于0.01,这来源于多晶结构和良好的结晶性;MIS结构中的固定电荷密度Nf和界面态密度Dit分别约为1.5×1012cm-2和(1.4-3.5)×1012 cm-2 eV-1,这主要与Si/STO界面处形成的低介电常数界面层有关.

English Abstract

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