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PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性

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曾华荣, 余寒峰, 初瑞清, 李国荣, 殷庆瑞, 唐新桂. 2005: PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性, 物理学报, 54(3): 1437-1441. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.077
引用本文: 曾华荣, 余寒峰, 初瑞清, 李国荣, 殷庆瑞, 唐新桂. 2005: PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性, 物理学报, 54(3): 1437-1441. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.077
shu
ZENG Hua-Rong, YU Han-Feng, CHU Rui-Qing, Li Guo-Rong, YIN Qing-rui, TANG Xin-gui. 2005: Field-induced displacement properties of nanoscale domain structure in PZT thin film, Acta Physica Sinica, 54(3): 1437-1441. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.077
Citation: ZENG Hua-Rong, YU Han-Feng, CHU Rui-Qing, Li Guo-Rong, YIN Qing-rui, TANG Xin-gui. 2005: Field-induced displacement properties of nanoscale domain structure in PZT thin film, Acta Physica Sinica, 54(3): 1437-1441. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.03.077
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PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性

  • 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050

  • 广东工业大学应用物理学院,广州,510090

Field-induced displacement properties of nanoscale domain structure in PZT thin film

  • 摘要: 利用扫描力显微术的压电响应模式,并基于逆压电效应原理,研究了梯度组成的PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性.获得了源于纳米尺度铁电畴的压电效应和电致伸缩效应贡献的场致位移回滞线,以及源于线性压电效应和电畴反转效应综合贡献的纳米尺度压电位移-场强蝶形曲线,证实了Caspari-Merz理论在纳米尺度上的有效性.发现了梯度铁电薄膜存在纳米尺度印刻现象,认为该现象的内因源于薄膜中的内偏场.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-03-30

PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性

  • 中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室,上海,200050
  • 广东工业大学应用物理学院,广州,510090

摘要: 利用扫描力显微术的压电响应模式,并基于逆压电效应原理,研究了梯度组成的PZT铁电薄膜纳米尺度铁电畴的场致位移特性.获得了源于纳米尺度铁电畴的压电效应和电致伸缩效应贡献的场致位移回滞线,以及源于线性压电效应和电畴反转效应综合贡献的纳米尺度压电位移-场强蝶形曲线,证实了Caspari-Merz理论在纳米尺度上的有效性.发现了梯度铁电薄膜存在纳米尺度印刻现象,认为该现象的内因源于薄膜中的内偏场.

English Abstract

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