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射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

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王文静, 萧淑琴, 刘宜华, 陈卫平, 代由勇, 姜山, 袁慧敏, 颜世申. 2005: 射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响, 物理学报, 54(4): 1821-1825. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.063
引用本文: 王文静, 萧淑琴, 刘宜华, 陈卫平, 代由勇, 姜山, 袁慧敏, 颜世申. 2005: 射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响, 物理学报, 54(4): 1821-1825. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.063
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Wang Wen-Jing, XIAO Shu-Qin, LIU Yi-Hua, Chen Wei-Ping, DAI You-Yong, Jiang Shan, YUAN Hui-min, Yan Shi-Shen. 2005: The influence of sputtering power on the giant magneto-impedance of FeZrBCu films, Acta Physica Sinica, 54(4): 1821-1825. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.063
Citation: Wang Wen-Jing, XIAO Shu-Qin, LIU Yi-Hua, Chen Wei-Ping, DAI You-Yong, Jiang Shan, YUAN Hui-min, Yan Shi-Shen. 2005: The influence of sputtering power on the giant magneto-impedance of FeZrBCu films, Acta Physica Sinica, 54(4): 1821-1825. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.063
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射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;浙江台州学院物理系,临海,317000

The influence of sputtering power on the giant magneto-impedance of FeZrBCu films

  • 摘要: 用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜.研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响.用电子探针显微镜测量发现,当溅射功率为240W时,薄膜样品中Fe的原子含量为87.32％,Cu的原子含量为2.9％.这种样品的矫顽力最小,为68 A/m,饱和磁化强度约为1.11×105A/m,软磁性能最佳,巨磁阻抗效应最大,溅态膜在13 MHz最大巨磁阻抗比纵向为17％,横向为11％.重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有效磁导率随频率的变化,得到在低频下主要是磁电感效应,此时磁导率对电感分量的变化起重要作用.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-04-30

射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100;浙江台州学院物理系,临海,317000

摘要: 用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜.研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响.用电子探针显微镜测量发现,当溅射功率为240W时,薄膜样品中Fe的原子含量为87.32％,Cu的原子含量为2.9％.这种样品的矫顽力最小,为68 A/m,饱和磁化强度约为1.11×105A/m,软磁性能最佳,巨磁阻抗效应最大,溅态膜在13 MHz最大巨磁阻抗比纵向为17％,横向为11％.重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有效磁导率随频率的变化,得到在低频下主要是磁电感效应,此时磁导率对电感分量的变化起重要作用.

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