高级搜索

半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究

,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

徐岳生, 杨新荣, 王海云, 唐蕾, 刘彩池, 魏欣, 覃道志. 2005: 半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究, 物理学报, 54(4): 1904-1908. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.079
引用本文: 徐岳生, 杨新荣, 王海云, 唐蕾, 刘彩池, 魏欣, 覃道志. 2005: 半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究, 物理学报, 54(4): 1904-1908. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.079
shu
Xu Yue-Sheng, YANG Xin-rong, WANG Hai-yun, Tang Lei, LIU Cai-chi, Wei Xin, Qin Dao-Zhi. 2005: Micro-distribution of carbon in semi-insulating gallium arsenide, Acta Physica Sinica, 54(4): 1904-1908. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.079
Citation: Xu Yue-Sheng, YANG Xin-rong, WANG Hai-yun, Tang Lei, LIU Cai-chi, Wei Xin, Qin Dao-Zhi. 2005: Micro-distribution of carbon in semi-insulating gallium arsenide, Acta Physica Sinica, 54(4): 1904-1908. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.079
shu

半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究

  • 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130

  • 空军天津航空装备技术训练基地,天津,300131

Micro-distribution of carbon in semi-insulating gallium arsenide

  • 摘要: 通过AB腐蚀(由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法,简称AB腐蚀)、KOH腐蚀,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究.实验结果表明,碳的微区分布受单晶中高密度位错网络结构的影响.高密度位错区,位错形成较小的胞状结构,且胞内不存在孤立位错,碳在单个胞内呈U型分布;较低密度位错区,胞状结构直径较大,且胞内存在孤立位错,碳在单个胞内呈W型分布.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  378
  • HTML全文浏览数:  46
  • PDF下载数:  31
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2005-04-30

半绝缘砷化镓单晶中碳微区分布的研究

  • 河北工业大学信息功能材料研究所,天津,300130
  • 空军天津航空装备技术训练基地,天津,300131

摘要: 通过AB腐蚀(由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法,简称AB腐蚀)、KOH腐蚀,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析,对液封直拉法生长的非掺半绝缘砷化镓单晶中碳的微区分布进行了分析研究.实验结果表明,碳的微区分布受单晶中高密度位错网络结构的影响.高密度位错区,位错形成较小的胞状结构,且胞内不存在孤立位错,碳在单个胞内呈U型分布;较低密度位错区,胞状结构直径较大,且胞内存在孤立位错,碳在单个胞内呈W型分布.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回