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化学机械抛光中纳米颗粒的作用分析

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张朝辉, 雒建斌, 温诗铸. 2005: 化学机械抛光中纳米颗粒的作用分析, 物理学报, 54(5): 2123-2127. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.029
引用本文: 张朝辉, 雒建斌, 温诗铸. 2005: 化学机械抛光中纳米颗粒的作用分析, 物理学报, 54(5): 2123-2127. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.029
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Zhang Chao-Hui, Luo Jian-Bin, Wen Shi-Zhu. 2005: Effects of nano-scale particles in chemical mechanical polishing process, Acta Physica Sinica, 54(5): 2123-2127. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.029
Citation: Zhang Chao-Hui, Luo Jian-Bin, Wen Shi-Zhu. 2005: Effects of nano-scale particles in chemical mechanical polishing process, Acta Physica Sinica, 54(5): 2123-2127. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.029
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化学机械抛光中纳米颗粒的作用分析

  • 京交通大学机电学院,100044

  • 清华大学摩擦学国家重点实验室,100084

Effects of nano-scale particles in chemical mechanical polishing process

  • 摘要: 化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是用于获取原子级平面度的有效手段.目前,CMP的抛光液通常使用纳米级颗粒来加速切除和优化抛光质量.这类流体的流变性能必须考虑微极性效应的影响.对考虑微极性效应的运动方程的求解,有助于了解CMP的作用机理.数值模拟表明,微极性将提高抛光液的等效黏度从而在一定程度上提高其承载能力,加速材料去除.这在低节距或低转速下尤为明显,体现出其具有尺寸依赖性.通过改变抛光液中粒子的微极性,用实验研究了微极性效应对CMP中材料去除速率的影响,证明了分析的合理性.
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出版历程

化学机械抛光中纳米颗粒的作用分析

  • 京交通大学机电学院,100044
  • 清华大学摩擦学国家重点实验室,100084

摘要: 化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)是用于获取原子级平面度的有效手段.目前,CMP的抛光液通常使用纳米级颗粒来加速切除和优化抛光质量.这类流体的流变性能必须考虑微极性效应的影响.对考虑微极性效应的运动方程的求解,有助于了解CMP的作用机理.数值模拟表明,微极性将提高抛光液的等效黏度从而在一定程度上提高其承载能力,加速材料去除.这在低节距或低转速下尤为明显,体现出其具有尺寸依赖性.通过改变抛光液中粒子的微极性,用实验研究了微极性效应对CMP中材料去除速率的影响,证明了分析的合理性.

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