立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

上一篇

下一篇

方鲲, 高善民, 邱海林, 曹传宝, 朱鹤孙. 2005: 立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究, 物理学报, 54(5): 2267-2271. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.055
引用本文: 方鲲, 高善民, 邱海林, 曹传宝, 朱鹤孙. 2005: 立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究, 物理学报, 54(5): 2267-2271. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.055
Fang Kun, Gao Shan-Min, Qiu Hai-Lin, Cao Chuan-Bao, Zhu He-Sun. 2005: Synthesis of β-GaN nanocrystals with a cubic structure by gas-phase chemical reaction, Acta Physica Sinica, 54(5): 2267-2271. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.055
Citation: Fang Kun, Gao Shan-Min, Qiu Hai-Lin, Cao Chuan-Bao, Zhu He-Sun. 2005: Synthesis of β-GaN nanocrystals with a cubic structure by gas-phase chemical reaction, Acta Physica Sinica, 54(5): 2267-2271. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.055

立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

Synthesis of β-GaN nanocrystals with a cubic structure by gas-phase chemical reaction

  • 摘要: 在氮气氛中,以GaP纳米晶为原料,在相对较低的反应温度下,通过N-P取代的气相化学反应制备立方相β-GaN纳米晶.这是由于GaP纳米晶具有较大的比表面积和表面众多的空位键,使之具有较高的反应活性造成的.不同升温速率造成不同的化学反应机理,从而生成不同形貌的β-GaN纳米晶材料.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  433
  • HTML全文浏览数:  149
  • PDF下载数:  11
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2005-05-30

立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

  • 北京理工大学材料科学研究中心,北京,100081;北京科技大学材料科学与工程学院,北京,100083
  • 烟台师范学院化学与材料科学学院,烟台,264025
  • 北京理工大学材料科学研究中心,北京,100081

摘要: 在氮气氛中,以GaP纳米晶为原料,在相对较低的反应温度下,通过N-P取代的气相化学反应制备立方相β-GaN纳米晶.这是由于GaP纳米晶具有较大的比表面积和表面众多的空位键,使之具有较高的反应活性造成的.不同升温速率造成不同的化学反应机理,从而生成不同形貌的β-GaN纳米晶材料.

English Abstract

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回