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Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

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刘春雷, 何斌, 宁烨, 颜君, 王建国. 2005: Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算, 物理学报, 54(7): 3206-3212. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.041
引用本文: 刘春雷, 何斌, 宁烨, 颜君, 王建国. 2005: Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算, 物理学报, 54(7): 3206-3212. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.041
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LIU Chun-lei, He Bin, NING Ye, Yan Jun, Wang Jian-Guo. 2005: CTMC calculation of Si2+ + H impact ionization, Acta Physica Sinica, 54(7): 3206-3212. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.041
Citation: LIU Chun-lei, He Bin, NING Ye, Yan Jun, Wang Jian-Guo. 2005: CTMC calculation of Si2+ + H impact ionization, Acta Physica Sinica, 54(7): 3206-3212. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.041
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Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

  • 北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室,北京,100088;中国工程物理研究院研究生院,北京,100088

  • 北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室,北京,100088

CTMC calculation of Si2+ + H impact ionization

  • 摘要: 应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2+离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量"鞍点"电离机理的可能性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-07-30

Si2+离子与氢原子碰撞电离过程的CTMC计算

  • 北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室,北京,100088;中国工程物理研究院研究生院,北京,100088
  • 北京应用物理与计算数学研究所计算物理实验室,北京,100088

摘要: 应用经典径迹蒙特卡罗方法研究Si2+离子与氢原子碰撞电离反应过程.计算了随入射离子能量变化的总截面、出射电子随角度和能量变化的一阶、二阶微分截面,及出射电子随入射离子能量变化的平均能量.根据计算结果,讨论展示了软碰撞、电子转移到入射离子连续态、两体相遇碰撞等电离机理,阐明了它们对碰撞总截面、微分截面、电离电子能量的影响.通过计算出射电子到入射离子和靶的距离比的电离电子数分布研究了不同入射离子能量"鞍点"电离机理的可能性.

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