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硅烷低温等离子体阶跃响应的仿真(1)

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杨靖, 李景镇, 孙秀泉, 龚向东. 2005: 硅烷低温等离子体阶跃响应的仿真(1), 物理学报, 54(7): 3251-3256. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.048
引用本文: 杨靖, 李景镇, 孙秀泉, 龚向东. 2005: 硅烷低温等离子体阶跃响应的仿真(1), 物理学报, 54(7): 3251-3256. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.048
shu
Yang Jing, LI Jing-zhen, SUN Xiu-Quan, GONG Xiang-dong. 2005: Simulation of step response of silane low-temperature pasma(1), Acta Physica Sinica, 54(7): 3251-3256. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.048
Citation: Yang Jing, LI Jing-zhen, SUN Xiu-Quan, GONG Xiang-dong. 2005: Simulation of step response of silane low-temperature pasma(1), Acta Physica Sinica, 54(7): 3251-3256. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.048
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硅烷低温等离子体阶跃响应的仿真(1)

  • 深圳大学工程技术学院,深圳,518060

Simulation of step response of silane low-temperature pasma(1)

  • 摘要: 了解含有负离子的低温等离子体的过渡特性,在等离子体控制过程中,尤其在选择性等离子体腐蚀工艺和改善电荷堆积等现象中是十分重要的课题.对电源驱动频率为13.56MHz,压力为0.5Torr(0.5×103.33Pa)状态下的硅烷(SiH4)低温等离子体的阶跃响应进行仿真.当电源电压振幅从550V阶跃减小到350V时,硅烷低温等离子体表现出以数千RF周期为周期的振荡现象,等离子体中的带电粒子的运动变化决定了振荡现象的产生和振荡周期等特性.
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硅烷低温等离子体阶跃响应的仿真(1)

  • 深圳大学工程技术学院,深圳,518060

摘要: 了解含有负离子的低温等离子体的过渡特性,在等离子体控制过程中,尤其在选择性等离子体腐蚀工艺和改善电荷堆积等现象中是十分重要的课题.对电源驱动频率为13.56MHz,压力为0.5Torr(0.5×103.33Pa)状态下的硅烷(SiH4)低温等离子体的阶跃响应进行仿真.当电源电压振幅从550V阶跃减小到350V时,硅烷低温等离子体表现出以数千RF周期为周期的振荡现象,等离子体中的带电粒子的运动变化决定了振荡现象的产生和振荡周期等特性.

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