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压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

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王茺, 陈平平, 周旭昌, 夏长生, 王少伟, 陈效双, 陆卫. 2005: 压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱, 物理学报, 54(7): 3337-3341. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.064
引用本文: 王茺, 陈平平, 周旭昌, 夏长生, 王少伟, 陈效双, 陆卫. 2005: 压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱, 物理学报, 54(7): 3337-3341. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.064
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Wang Chong, Chen Ping-Ping, Zhou Xu-Chang, Xia Chang-Sheng, WANG Shao-wei, CHEN Xiao-Shuang, Lu Wei. 2005: Piezomodulated-reflectivity study of GaAs/Al0.29Ga0.71As single quantum well, Acta Physica Sinica, 54(7): 3337-3341. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.064
Citation: Wang Chong, Chen Ping-Ping, Zhou Xu-Chang, Xia Chang-Sheng, WANG Shao-wei, CHEN Xiao-Shuang, Lu Wei. 2005: Piezomodulated-reflectivity study of GaAs/Al0.29Ga0.71As single quantum well, Acta Physica Sinica, 54(7): 3337-3341. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.07.064
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压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

Piezomodulated-reflectivity study of GaAs/Al0.29Ga0.71As single quantum well

  • 摘要: 报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱.从图谱中可以看出,在室温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁.在阱宽25nm的样品中还观察到了自旋-轨道跃迁.利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现实验值和计算值能够较好地符合.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-07-30

压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

  • 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 报道了压电调制反射测量系统的建立,应用该系统获得了势阱宽度分别为5nm和25nm的两个GaAs/Al0.29Ga0.71As单量子阱的压电调制反射谱.从图谱中可以看出,在室温下能够较容易地分辨出和轻、重空穴相关联的子带跃迁.在阱宽25nm的样品中还观察到了自旋-轨道跃迁.利用有效质量理论近似计算,对量子阱样品的图谱结构进行了指认,发现实验值和计算值能够较好地符合.

English Abstract

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