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各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性

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周慧君, 程木田, 刘绍鼎, 王取泉, 詹明生, 薛其坤. 2005: 各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性, 物理学报, 54(9): 4141-4145. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.033
引用本文: 周慧君, 程木田, 刘绍鼎, 王取泉, 詹明生, 薛其坤. 2005: 各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性, 物理学报, 54(9): 4141-4145. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.033
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ZHOU Hui-Jun, Cheng Mu-Tian, Liu Shao-Ding, Wang Qu-Quan, Zhan Ming-Sheng, XUE Qi-kun. 2005: High polarization properties of single-photon emission from anisotropic InGaAs quantum dots, Acta Physica Sinica, 54(9): 4141-4145. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.033
Citation: ZHOU Hui-Jun, Cheng Mu-Tian, Liu Shao-Ding, Wang Qu-Quan, Zhan Ming-Sheng, XUE Qi-kun. 2005: High polarization properties of single-photon emission from anisotropic InGaAs quantum dots, Acta Physica Sinica, 54(9): 4141-4145. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.09.033
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各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性

  • 武汉大学物理系,武汉,430072

  • 武汉大学物理系,武汉,430072;中国科学院物理研究所,国际量子结构中心,北京,100080

  • 中国科学院武汉物理与数学研究所,武汉,430071

  • 中国科学院物理研究所,国际量子结构中心,北京,100080

High polarization properties of single-photon emission from anisotropic InGaAs quantum dots

  • 摘要: 研究了线偏振脉冲光场激发下,单个各向异性InGaAs量子点的高偏振光发射. 给出其偏振因子与两个正交本征态之间的交叉弛豫之间的关系式. 分析表明,交叉弛豫随激发场强度增大,并导致偏振因子随激发场入射脉冲面积减小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-09-30

各向异性量子点单光子发射的高偏振度特性

  • 武汉大学物理系,武汉,430072
  • 武汉大学物理系,武汉,430072;中国科学院物理研究所,国际量子结构中心,北京,100080
  • 中国科学院武汉物理与数学研究所,武汉,430071
  • 中国科学院物理研究所,国际量子结构中心,北京,100080

摘要: 研究了线偏振脉冲光场激发下,单个各向异性InGaAs量子点的高偏振光发射. 给出其偏振因子与两个正交本征态之间的交叉弛豫之间的关系式. 分析表明,交叉弛豫随激发场强度增大,并导致偏振因子随激发场入射脉冲面积减小.

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