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使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

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秦琦, 于乃森, 郭丽伟, 汪洋, 朱学亮, 陈弘, 周均铭. 2005: 使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究, 物理学报, 54(11): 5450-5454. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.080
引用本文: 秦琦, 于乃森, 郭丽伟, 汪洋, 朱学亮, 陈弘, 周均铭. 2005: 使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究, 物理学报, 54(11): 5450-5454. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.080
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Qin Qi, Yu Nai-Sen, Guo Li-Wei, Wang Yang, Zhu Xue-Liang, Chen Hong, Zhou Jun-Ming. 2005: Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition, Acta Physica Sinica, 54(11): 5450-5454. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.080
Citation: Qin Qi, Yu Nai-Sen, Guo Li-Wei, Wang Yang, Zhu Xue-Liang, Chen Hong, Zhou Jun-Ming. 2005: Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition, Acta Physica Sinica, 54(11): 5450-5454. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.11.080
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使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

  • 中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100080

Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition

  • 摘要: 采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对GaN外延膜中的残余应力进行了研究.研究发现,用SiNx原位淀积出纳米掩模后,GaN生长将由二维向三维转变,直到完全合并为止.利用拉曼光谱和光荧光谱分别研究了薄膜中的残余应力,两者符合得很好;这种方法生长出的GaN薄膜的应力分布较传统的侧向外延更加均匀;并且从中发现随着生长过程中SiNx原位淀积时间的增加,生长在其上的GaN外延膜中的残余应力减小.这是因为,随着SiNx原位淀积时间的增加,SiNx纳米掩模的覆盖度也增大.因此侧向外延区的比例增大,残余应力随之减小.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-11-30

使用SiNx原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究

  • 中国科学院物理研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100080

摘要: 采用低压MOCVD系统,在生长过程中使用SiNx原位淀积的方法产生纳米掩模,并在纳米掩模上进行选区生长和侧向外延制备了GaN外延薄膜.使用拉曼光谱和光荧光的手段对GaN外延膜中的残余应力进行了研究.研究发现,用SiNx原位淀积出纳米掩模后,GaN生长将由二维向三维转变,直到完全合并为止.利用拉曼光谱和光荧光谱分别研究了薄膜中的残余应力,两者符合得很好;这种方法生长出的GaN薄膜的应力分布较传统的侧向外延更加均匀;并且从中发现随着生长过程中SiNx原位淀积时间的增加,生长在其上的GaN外延膜中的残余应力减小.这是因为,随着SiNx原位淀积时间的增加,SiNx纳米掩模的覆盖度也增大.因此侧向外延区的比例增大,残余应力随之减小.

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