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电子束光刻的邻近效应及其模拟

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孙霞, 尤四方, 肖沛, 丁泽军. 2006: 电子束光刻的邻近效应及其模拟, 物理学报, 55(1): 148-154. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.027
引用本文: 孙霞, 尤四方, 肖沛, 丁泽军. 2006: 电子束光刻的邻近效应及其模拟, 物理学报, 55(1): 148-154. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.027
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Sun Xia, You Si-Fang, Xiao Pei, Ding Ze-Jun. 2006: Simulation of the proximity effect of electron beam lithography, Acta Physica Sinica, 55(1): 148-154. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.027
Citation: Sun Xia, You Si-Fang, Xiao Pei, Ding Ze-Jun. 2006: Simulation of the proximity effect of electron beam lithography, Acta Physica Sinica, 55(1): 148-154. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.027
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电子束光刻的邻近效应及其模拟

  • 中国科学技术大学,结构分析重点实验室,物理系,合肥,230026

Simulation of the proximity effect of electron beam lithography

  • 摘要: 用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素--邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大;衬底原子序数越大,衬底越厚,入射电子束能量越低,邻近效应越大.
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出版历程

电子束光刻的邻近效应及其模拟

  • 中国科学技术大学,结构分析重点实验室,物理系,合肥,230026

摘要: 用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因素--邻近效应的影响.分析了入射电子束的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响,并与实验结果进行了比较,发现模拟结果与实验结果符合得很好.分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大;衬底原子序数越大,衬底越厚,入射电子束能量越低,邻近效应越大.

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