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SiGe HBT大信号等效电路模型

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胡辉勇, 张鹤鸣, 吕懿, 戴显英, 侯慧, 区健锋, 王伟, 王喜嫒. 2006: SiGe HBT大信号等效电路模型, 物理学报, 55(1): 403-408. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.070
引用本文: 胡辉勇, 张鹤鸣, 吕懿, 戴显英, 侯慧, 区健锋, 王伟, 王喜嫒. 2006: SiGe HBT大信号等效电路模型, 物理学报, 55(1): 403-408. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.070
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Hu Hui-Yong, Zhang He-Ming, Lü Yi, Dai Xian-Ying, Hou Hui, Ou Jian-Feng, Wang Wei, Wang Xi-Yuan. 2006: SiGe HBT large signal equivalent circuit model, Acta Physica Sinica, 55(1): 403-408. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.070
Citation: Hu Hui-Yong, Zhang He-Ming, Lü Yi, Dai Xian-Ying, Hou Hui, Ou Jian-Feng, Wang Wei, Wang Xi-Yuan. 2006: SiGe HBT large signal equivalent circuit model, Acta Physica Sinica, 55(1): 403-408. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.070
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SiGe HBT大信号等效电路模型

  • 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

SiGe HBT large signal equivalent circuit model

  • 摘要: 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGe HBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-01-30

SiGe HBT大信号等效电路模型

  • 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 基于SiGeHBT(异质结双极晶体管)的物理模型,建立了描述SiGeHBT的大信号等效电路模型.该等效电路模型考虑了准饱和效应和自热效应等,模型分为本征和非本征两部分,物理意义清晰,拓扑结构相对简单.该模型嵌入了PSPICE软件的DEVEO(器件方程开发包)中.在PSPICE软件资源的支持下,利用该模型对SiGe HBT器件进行了交直流特性模拟分析,模拟结果与理论分析结果相一致,并且与文献报道的结果符合较好.

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