退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响

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张锡健, 马洪磊, 王卿璞, 马瑾, 宗福建, 肖洪地, 计峰. 2006: 退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响, 物理学报, 55(1): 437-440. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.076
引用本文: 张锡健, 马洪磊, 王卿璞, 马瑾, 宗福建, 肖洪地, 计峰. 2006: 退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响, 物理学报, 55(1): 437-440. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.076
Zhang Xi-Jian, Ma Hong-Lei, Wang Qing-Pu, Ma Jin, Zong Fu-Jian, Xiao Hong-Di, Ji Feng. 2006: Effect of annealing on optical properties of MgxZn1- xO thin films deposited at low temperature, Acta Physica Sinica, 55(1): 437-440. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.076
Citation: Zhang Xi-Jian, Ma Hong-Lei, Wang Qing-Pu, Ma Jin, Zong Fu-Jian, Xiao Hong-Di, Ji Feng. 2006: Effect of annealing on optical properties of MgxZn1- xO thin films deposited at low temperature, Acta Physica Sinica, 55(1): 437-440. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.01.076

退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响

Effect of annealing on optical properties of MgxZn1- xO thin films deposited at low temperature

  • 摘要: 用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-01-30

退火温度对低温生长MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响

  • 山东大学物理与微电子学院,济南,250100

摘要: 用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(FWHM)减小.结果证明,用射频磁控溅射法通过适当控制退火温度可得到高质量MgxZn1-xO薄膜.

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