Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应

朱博; 桂永胜; 周文政; 商丽燕; 郭少令; 褚君浩; 吕捷; 唐宁; 沈波; 张福甲

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.064

物理学报

Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应

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朱博, 桂永胜, 周文政, 商丽燕, 郭少令, 褚君浩, 吕捷, 唐宁, 沈波, 张福甲. 2006: Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应, 物理学报, 55(5): 2498-2503. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.064

引用本文:

Zhu Bo, Gui Yong-Sheng, Zhou Wen-Zheng, Shang Li-Yan, Guo Shao-Ling, Chu Jun-Hao, Lü Jie, Tang Ning, Shen Bo, Zhang Fu-Jia. 2006: The weak antilocalization and localization phenomenon in AlGaN/GaN two-dimensional electron gas, Acta Physica Sinica, 55(5): 2498-2503. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.064

Citation:

Zhu Bo, Gui Yong-Sheng, Zhou Wen-Zheng, Shang Li-Yan, Guo Shao-Ling, Chu Jun-Hao, Lü Jie, Tang Ning, Shen Bo, Zhang Fu-Jia. 2006: The weak antilocalization and localization phenomenon in AlGaN/GaN two-dimensional electron gas, Acta Physica Sinica, 55(5): 2498-2503. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.05.064

Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应

兰州大学物理系,兰州,730000;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验,北京,100871
兰州大学物理系,兰州,730000

The weak antilocalization and localization phenomenon in AlGaN/GaN two-dimensional electron gas

摘要: 通过磁输运测量研究了Al0.22 Ga078N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.
- 二维电子气 /
- 弱局域 /
- 磁阻

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Al0.22Ga0.78N/GaN 二维电子气中的弱局域和反弱局域效应

兰州大学物理系,兰州,730000;中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验,北京,100871
兰州大学物理系,兰州,730000

关键词:

二维电子气 /
弱局域 /
磁阻

摘要: 通过磁输运测量研究了Al0.22 Ga078N/GaN二维电子气的电子相干散射中的弱局域和反弱局域化现象.在外加弱磁场的情况下,该系统表现出正-负磁阻的变化,说明在Al0.22Ga0.78N/GaN异质结中存在晶体场引起的电子自旋-轨道散射.同时讨论了二维电子气中不同的散射时间对温度的依赖关系,实验得到的非弹性散射时间与温度成反比,表明非弹性散射机理主要来源于小能量转移的电子-电子散射.