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AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

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郝跃, 韩新伟, 张进城, 张金凤. 2006: AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型, 物理学报, 55(7): 3622-3628. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.071
引用本文: 郝跃, 韩新伟, 张进城, 张金凤. 2006: AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型, 物理学报, 55(7): 3622-3628. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.071
shu
Hao Yue, Han Xin-Wei, Zhang Jin-Cheng, Zhang Jin-Feng. 2006: Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias, Acta Physica Sinica, 55(7): 3622-3628. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.071
Citation: Hao Yue, Han Xin-Wei, Zhang Jin-Cheng, Zhang Jin-Feng. 2006: Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias, Acta Physica Sinica, 55(7): 3622-3628. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.071
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AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

  • 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071

  • 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias

  • 摘要: 通过对AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaN HEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.
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出版历程

AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

  • 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071
  • 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

摘要: 通过对AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析,建立了一个AlGaN/GaN HEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发,综合考虑了器件结构、半导体表面与界面,以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.

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