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稀掺杂GaNxAs1-x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

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王茺, 陈平平, 刘昭麟, 李天信, 夏长生, 陈效双, 陆卫. 2006: 稀掺杂GaNxAs1-x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究, 物理学报, 55(7): 3636-3641. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.073
引用本文: 王茺, 陈平平, 刘昭麟, 李天信, 夏长生, 陈效双, 陆卫. 2006: 稀掺杂GaNxAs1-x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究, 物理学报, 55(7): 3636-3641. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.073
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Wang Chong, Chen Ping-Ping, Liu Zhao-Lin, Li Tian-Xin, Xia Chang-Sheng, Chen Xiao-Shuang, Lu Wei. 2006: Study of the modulated spectra of dilute GaNxAs1-x( x ≤ 0.03) thin films, Acta Physica Sinica, 55(7): 3636-3641. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.073
Citation: Wang Chong, Chen Ping-Ping, Liu Zhao-Lin, Li Tian-Xin, Xia Chang-Sheng, Chen Xiao-Shuang, Lu Wei. 2006: Study of the modulated spectra of dilute GaNxAs1-x( x ≤ 0.03) thin films, Acta Physica Sinica, 55(7): 3636-3641. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.073
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稀掺杂GaNxAs1-x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

Study of the modulated spectra of dilute GaNxAs1-x( x ≤ 0.03) thin films

  • 摘要: 利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%-3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+△1+△N.当N掺杂浓度达到1%时,开始在PzR谱和PR谱中观测到Г价带的轻重空穴分裂.给出室温下GaNxAs1-x材料的临界点能量随掺杂浓度的关系图,实验结果为E+和E*两个跃迁同起源于L导带提供了室温下的佐证.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-07-30

稀掺杂GaNxAs1-x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083

摘要: 利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%-3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+△1+△N.当N掺杂浓度达到1%时,开始在PzR谱和PR谱中观测到Г价带的轻重空穴分裂.给出室温下GaNxAs1-x材料的临界点能量随掺杂浓度的关系图,实验结果为E+和E*两个跃迁同起源于L导带提供了室温下的佐证.

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