Cu掺杂LaMn1-xCuxO3体系的磁转变和导电行为研究
Magnetic transition and conducting behavior of the Cu-doped LaMn1-xCuxO3 system
-
摘要: 系统研究了LaMn1-xCuxO3(x=0.05,0.10,0.20,0.30,0.40)体系的磁转变和导电行为.结果表明,在LaMnO3反铁磁母体中掺杂极少量的Cu(x=0.05)使该体系在157 K左右出现强的铁磁转变,随着Cu掺杂浓度的增加,居里温度逐渐降低,而铁磁性则是先增强后减弱.与磁特性相对应,样品的电阻率随着Cu掺杂浓度的增加表现出先减小后增大的特征,并且在整个测量温区内始终呈现绝缘体型导电行为--从顺磁绝缘体到铁磁绝缘体;体系的导电行为在低掺杂(x≤0.10)时符合Mott VRH(Variable Range Hopping)模型,较高掺杂时,又转而满足热激活模型.表明随着掺杂浓度的增加,由于Cu对Mn-O-Mn双交换作用和磁结构的影响,导致eg电子的输运由VRH模型的势垒作用占主导地位转变为热激活模型的能隙起主导作用.
-
关键词:
- LaMn1-xCuxO3 /
- 导电行为 /
- 磁特性
-
-
计量
- 文章访问数: 436
- HTML全文浏览数: 50
- PDF下载数: 14
- 施引文献: 0