Cu掺杂LaMn1-xCuxO3体系的磁转变和导电行为研究

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高湉, 曹世勋, 李文娟, 康保娟, 袁淑娟, 张金仓. 2006: Cu掺杂LaMn1-xCuxO3体系的磁转变和导电行为研究, 物理学报, 55(7): 3692-3697. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.082
引用本文: 高湉, 曹世勋, 李文娟, 康保娟, 袁淑娟, 张金仓. 2006: Cu掺杂LaMn1-xCuxO3体系的磁转变和导电行为研究, 物理学报, 55(7): 3692-3697. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.082
Gao Tian, Cao Shi-Xun, Li Wen-Juan, Kang Bao-Juan, Yuan Shu-Juan, Zhang Jin-Cang. 2006: Magnetic transition and conducting behavior of the Cu-doped LaMn1-xCuxO3 system, Acta Physica Sinica, 55(7): 3692-3697. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.082
Citation: Gao Tian, Cao Shi-Xun, Li Wen-Juan, Kang Bao-Juan, Yuan Shu-Juan, Zhang Jin-Cang. 2006: Magnetic transition and conducting behavior of the Cu-doped LaMn1-xCuxO3 system, Acta Physica Sinica, 55(7): 3692-3697. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.07.082

Cu掺杂LaMn1-xCuxO3体系的磁转变和导电行为研究

Magnetic transition and conducting behavior of the Cu-doped LaMn1-xCuxO3 system

  • 摘要: 系统研究了LaMn1-xCuxO3(x=0.05,0.10,0.20,0.30,0.40)体系的磁转变和导电行为.结果表明,在LaMnO3反铁磁母体中掺杂极少量的Cu(x=0.05)使该体系在157 K左右出现强的铁磁转变,随着Cu掺杂浓度的增加,居里温度逐渐降低,而铁磁性则是先增强后减弱.与磁特性相对应,样品的电阻率随着Cu掺杂浓度的增加表现出先减小后增大的特征,并且在整个测量温区内始终呈现绝缘体型导电行为--从顺磁绝缘体到铁磁绝缘体;体系的导电行为在低掺杂(x≤0.10)时符合Mott VRH(Variable Range Hopping)模型,较高掺杂时,又转而满足热激活模型.表明随着掺杂浓度的增加,由于Cu对Mn-O-Mn双交换作用和磁结构的影响,导致eg电子的输运由VRH模型的势垒作用占主导地位转变为热激活模型的能隙起主导作用.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-07-30

Cu掺杂LaMn1-xCuxO3体系的磁转变和导电行为研究

  • 上海大学物理系,上海,200444

摘要: 系统研究了LaMn1-xCuxO3(x=0.05,0.10,0.20,0.30,0.40)体系的磁转变和导电行为.结果表明,在LaMnO3反铁磁母体中掺杂极少量的Cu(x=0.05)使该体系在157 K左右出现强的铁磁转变,随着Cu掺杂浓度的增加,居里温度逐渐降低,而铁磁性则是先增强后减弱.与磁特性相对应,样品的电阻率随着Cu掺杂浓度的增加表现出先减小后增大的特征,并且在整个测量温区内始终呈现绝缘体型导电行为--从顺磁绝缘体到铁磁绝缘体;体系的导电行为在低掺杂(x≤0.10)时符合Mott VRH(Variable Range Hopping)模型,较高掺杂时,又转而满足热激活模型.表明随着掺杂浓度的增加,由于Cu对Mn-O-Mn双交换作用和磁结构的影响,导致eg电子的输运由VRH模型的势垒作用占主导地位转变为热激活模型的能隙起主导作用.

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