光子晶体中四能级系统的量子相干效应

房元锋; 杜春光; 李师群

doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.043

物理学报

光子晶体中四能级系统的量子相干效应

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房元锋, 杜春光, 李师群. 2006: 光子晶体中四能级系统的量子相干效应, 物理学报, 55(9): 4652-4658. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.043

引用本文:

房元锋, 杜春光, 李师群. 2006: 光子晶体中四能级系统的量子相干效应, 物理学报, 55(9): 4652-4658. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.043

Fang Yuan-Feng, Du Chun-Guang, Li Shi-Qun. 2006: Quntum interference of four-level atomic system embedded in photonic band gap structure, Acta Physica Sinica, 55(9): 4652-4658. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.043

Citation:

Fang Yuan-Feng, Du Chun-Guang, Li Shi-Qun. 2006: Quntum interference of four-level atomic system embedded in photonic band gap structure, Acta Physica Sinica, 55(9): 4652-4658. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.043

光子晶体中四能级系统的量子相干效应

清华大学物理系,量子信息与测量教育部重点实验室,北京,100084

Quntum interference of four-level atomic system embedded in photonic band gap structure

摘要: 研究了处于光子带隙材料中的四能级原子系统的电磁感应透明、自发辐射和光子开关效应,分析了其稳态与瞬态特性, 发现特殊的模密度能够导致反常的吸收、色散、自发辐射及瞬态无反转增益, 并可以通过外加调制场进行控制.详细讨论了特殊频率处模密度的变化对透明窗口和光子开关效应的影响.
- 光子带隙材料 /
- 电磁感应透明 /
- 模密度 /
- 光子开关