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SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

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姚红英, 顾晓, 季敏, 张笛儿, 龚新高. 2006: SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究, 物理学报, 55(11): 6042-6046. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.078
引用本文: 姚红英, 顾晓, 季敏, 张笛儿, 龚新高. 2006: SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究, 物理学报, 55(11): 6042-6046. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.078
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Yao Hong-Ying, Gu Xiao, Ji Min, Zhang Di-Er, Gong Xin-Gao. 2006: First-principles study of metal atoms adsorbed on SiO2 surface, Acta Physica Sinica, 55(11): 6042-6046. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.078
Citation: Yao Hong-Ying, Gu Xiao, Ji Min, Zhang Di-Er, Gong Xin-Gao. 2006: First-principles study of metal atoms adsorbed on SiO2 surface, Acta Physica Sinica, 55(11): 6042-6046. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.078
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SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

  • 复旦大学物理系,上海,200433

First-principles study of metal atoms adsorbed on SiO2 surface

  • 摘要: 采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.
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出版历程

SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

  • 复旦大学物理系,上海,200433

摘要: 采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.

English Abstract

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