高级搜索

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

罗敏, 王新庆, 葛洪良, 王淼, 徐亚伯, 陈强, 李利培, 陈磊, 管高飞, 夏娟, 江丰. 2006: 排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响, 物理学报, 55(11): 6061-6067. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.081
引用本文: 罗敏, 王新庆, 葛洪良, 王淼, 徐亚伯, 陈强, 李利培, 陈磊, 管高飞, 夏娟, 江丰. 2006: 排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响, 物理学报, 55(11): 6061-6067. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.081
shu
Luo Min, Wang Xin-Qing, Ge Hong-Liang, Wang Miao, Xu Ya-Bo, Chen Qiang, Li Li-Pei, Chen Lei, Guan Gao-Fei, Xia Juan, Jiang Feng. 2006: Influence of arrangement and matrix number on the field emission from conductive nanowire array, Acta Physica Sinica, 55(11): 6061-6067. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.081
Citation: Luo Min, Wang Xin-Qing, Ge Hong-Liang, Wang Miao, Xu Ya-Bo, Chen Qiang, Li Li-Pei, Chen Lei, Guan Gao-Fei, Xia Juan, Jiang Feng. 2006: Influence of arrangement and matrix number on the field emission from conductive nanowire array, Acta Physica Sinica, 55(11): 6061-6067. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.081
shu

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

  • 中国计量学院物理系,杭州,310018

  • 中国计量学院物理系,杭州,310018;中国计量学院磁学重点实验室,杭州,310018

  • 浙江大学物理系,杭州,310027

Influence of arrangement and matrix number on the field emission from conductive nanowire array

  • 摘要: 为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+w)+1/2(1/1+w)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R＜R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R＞R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  671
  • HTML全文浏览数:  336
  • PDF下载数:  14
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2006-11-30

排列形状及阵列数目对纳米导线阵列场发射性能的影响

  • 中国计量学院物理系,杭州,310018
  • 中国计量学院物理系,杭州,310018;中国计量学院磁学重点实验室,杭州,310018
  • 浙江大学物理系,杭州,310027

摘要: 为了进一步研究纳米导线阵列的排列形状以及阵列数目对其场发射行为的影响,利用镜像悬浮球模型对正方形以及六边形排列的纳米导线阵列的场发射行为进行计算与模拟,近似的得到纳米导线阵列的场发射增强因子满足如下的变化趋势:β=h/ρ(1/1+w)+1/2(1/1+w)2+3,其中h为纳米导线的高度,ρ为纳米导线的半径,W是以R为自变量的函数,R为纳米导线阵列的间距.结果显示纳米导线阵列的排列形状对其场发射性能的影响较小,而阵列间距则是影响场发射性能的关键因素:当R＜R0时,场发射增强因子随着阵列间距的减小而急剧减小;当R＞R0时,场发射增强因子基本不变,其中R0为导线阵列场发射的最佳间距.进一步研究表明改变纳米导线阵列的数目基本不会改变阵列的场发射性能随间距的变化趋势,但是随着阵列数目的增加,R0会有一定程度的减小,场发射增强因子也会降低.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回