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缺陷对左手材料负折射的调控行为

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郑晴, 赵晓鹏, 李明明, 赵晶. 2006: 缺陷对左手材料负折射的调控行为, 物理学报, 55(12): 6441-6446. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.042
引用本文: 郑晴, 赵晓鹏, 李明明, 赵晶. 2006: 缺陷对左手材料负折射的调控行为, 物理学报, 55(12): 6441-6446. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.042
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Zheng Qing, Zhao Xiao-Peng, Li Ming-Ming, Zhao Jing. 2006: Regulating ability of defects on the negative refraction of left-handed metamaterials, Acta Physica Sinica, 55(12): 6441-6446. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.042
Citation: Zheng Qing, Zhao Xiao-Peng, Li Ming-Ming, Zhao Jing. 2006: Regulating ability of defects on the negative refraction of left-handed metamaterials, Acta Physica Sinica, 55(12): 6441-6446. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.042
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缺陷对左手材料负折射的调控行为

  • 西北工业大学电流变技术研究所,西安,710072

  • 清华大学电机工程与应用电子技术系,北京,100084

Regulating ability of defects on the negative refraction of left-handed metamaterials

  • 摘要: 采用电路板刻蚀技术制备左手材料样品,由劈尖法分别研究了无缺陷和引入缺陷时左手材料的负折射特性.实验结果表明,引入两种点缺陷材料与无缺陷材料的功率峰值之比分别为1.035和1.256,且负折射率的绝对值分别增大了9.6%和19.6%;引入空位缺陷材料与无缺陷材料的功率峰值之比最大为1.973,最小为0.364,负折射率的绝对值最大增大了68.3%,最小增大了9.6%.缺陷的存在改变了左手材料周期性结构,形成新的电磁谐振条件,使其负折射率和功率峰值发生了变化,实现了对左手材料负折射率的调控.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-12-30

缺陷对左手材料负折射的调控行为

  • 西北工业大学电流变技术研究所,西安,710072
  • 清华大学电机工程与应用电子技术系,北京,100084

摘要: 采用电路板刻蚀技术制备左手材料样品,由劈尖法分别研究了无缺陷和引入缺陷时左手材料的负折射特性.实验结果表明,引入两种点缺陷材料与无缺陷材料的功率峰值之比分别为1.035和1.256,且负折射率的绝对值分别增大了9.6%和19.6%;引入空位缺陷材料与无缺陷材料的功率峰值之比最大为1.973,最小为0.364,负折射率的绝对值最大增大了68.3%,最小增大了9.6%.缺陷的存在改变了左手材料周期性结构,形成新的电磁谐振条件,使其负折射率和功率峰值发生了变化,实现了对左手材料负折射率的调控.

English Abstract

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