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TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索

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顾培夫, 郑臻荣, 赵永江, 刘旭. 2006: TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索, 物理学报, 55(12): 6459-6463. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.045
引用本文: 顾培夫, 郑臻荣, 赵永江, 刘旭. 2006: TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索, 物理学报, 55(12): 6459-6463. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.045
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Gu Pei-Fu, Zheng Zhen-Rong, Zhao Yong-Jiang, Liu Xu. 2006: Study on the mechanism and measurement of stress of TiO2 and SiO2 thin-films, Acta Physica Sinica, 55(12): 6459-6463. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.045
Citation: Gu Pei-Fu, Zheng Zhen-Rong, Zhao Yong-Jiang, Liu Xu. 2006: Study on the mechanism and measurement of stress of TiO2 and SiO2 thin-films, Acta Physica Sinica, 55(12): 6459-6463. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.045
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TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索

  • 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027

Study on the mechanism and measurement of stress of TiO2 and SiO2 thin-films

  • 摘要: 对最常用的TiO2和SiO2薄膜应力, 包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型,对TiO2和SiO2单层膜和多层膜进行了实验测试,得到了一些有价值的结果,特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响.提出了薄膜聚集密度是应力的重要因素,低聚集密度产生张应力,而高聚集密度产生压应力.在多层膜中通过调节工艺参数,适当地控制张应力或压应力,可使累积应力趋向于零.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-12-30

TiO2和SiO2薄膜应力的产生机理及实验探索

  • 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州,310027

摘要: 对最常用的TiO2和SiO2薄膜应力, 包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型,对TiO2和SiO2单层膜和多层膜进行了实验测试,得到了一些有价值的结果,特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响.提出了薄膜聚集密度是应力的重要因素,低聚集密度产生张应力,而高聚集密度产生压应力.在多层膜中通过调节工艺参数,适当地控制张应力或压应力,可使累积应力趋向于零.

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