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Cu/SiO2/Si(111)体系中Cu和Si的扩散及界面反应

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曹博, 包良满, 李公平, 何山虎. 2006: Cu/SiO2/Si(111)体系中Cu和Si的扩散及界面反应, 物理学报, 55(12): 6550-6555. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.061
引用本文: 曹博, 包良满, 李公平, 何山虎. 2006: Cu/SiO2/Si(111)体系中Cu和Si的扩散及界面反应, 物理学报, 55(12): 6550-6555. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.061
shu
Cao Bo, Bao Liang-Man, Li Gong-Ping, He Shan-Hu. 2006: Diffusion and interface reaction of Cu and Si in Cu/SiO2/Si (111) systems, Acta Physica Sinica, 55(12): 6550-6555. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.061
Citation: Cao Bo, Bao Liang-Man, Li Gong-Ping, He Shan-Hu. 2006: Diffusion and interface reaction of Cu and Si in Cu/SiO2/Si (111) systems, Acta Physica Sinica, 55(12): 6550-6555. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.12.061
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Cu/SiO2/Si(111)体系中Cu和Si的扩散及界面反应

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

Diffusion and interface reaction of Cu and Si in Cu/SiO2/Si (111) systems

  • 摘要: 室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜.利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征.在此基础上,研究了Cu/SiO2/Si(111)体系的扩散和界面反应.实验结果表明:当退火温度高于450 ℃时出现明显的扩散现象,并且随着温度的升高,体系扩散现象会更加显著.当退火温度低于450 ℃时没有铜硅化合物生成,当温度达到500 ℃时才有铜硅化合物生成.
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出版历程
  • 刊出日期:  2006-12-30

Cu/SiO2/Si(111)体系中Cu和Si的扩散及界面反应

  • 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000

摘要: 室温下利用磁控溅射在p型Si(111)衬底上沉积了Cu薄膜.利用X射线衍射和卢瑟福背散射分别对未退火以及在不同温度点退火后样品的结构进行了表征.在此基础上,研究了Cu/SiO2/Si(111)体系的扩散和界面反应.实验结果表明:当退火温度高于450 ℃时出现明显的扩散现象,并且随着温度的升高,体系扩散现象会更加显著.当退火温度低于450 ℃时没有铜硅化合物生成,当温度达到500 ℃时才有铜硅化合物生成.

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