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硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响

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李健, 朱洁. 2007: 硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响, 物理学报, 56(1): 574-582. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.094
引用本文: 李健, 朱洁. 2007: 硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响, 物理学报, 56(1): 574-582. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.094
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Li Jian, Zhu Jie. 2007: Influence of selenization on the surface morphology and phase structure of CulnSe2 thin films, Acta Physica Sinica, 56(1): 574-582. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.094
Citation: Li Jian, Zhu Jie. 2007: Influence of selenization on the surface morphology and phase structure of CulnSe2 thin films, Acta Physica Sinica, 56(1): 574-582. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.01.094
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硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响

  • 北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083

Influence of selenization on the surface morphology and phase structure of CulnSe2 thin films

  • 摘要: 以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同.系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-01-30

硒化技术对CuInSe2薄膜表面形貌和晶相的影响

  • 北京科技大学新金属材料国家重点实验室,北京,100083

摘要: 以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、分步硒化退火和同步硒化退火等5种具有代表性和创新性的方案,研究了硒源的摆放方式、升温方法对薄膜质量的影响,比较了不同方法制备的CuInSe2(CIS)薄膜在形貌、成分、相结构等方面的异同.系统地分析了硒化温度、退火温度和退火时间对CuInSe2薄膜成分的影响,研究了各元素的百分含量随硒化退火条件的变化规律,为更准确地把握CIS薄膜的成分和相结构提供有益的借鉴.

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