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低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究

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吕惠民, 陈光德, 颜国君, 耶红刚. 2007: 低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究, 物理学报, 56(5): 2808-2812. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.056
引用本文: 吕惠民, 陈光德, 颜国君, 耶红刚. 2007: 低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究, 物理学报, 56(5): 2808-2812. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.056
shu
Lü Hui-Min, Chen Guang-De, Yan Guo-Jun, Ye Hong-Gang. 2007: The growth mechanism of monocrystal aluminum nitride nanowires at low temperature, Acta Physica Sinica, 56(5): 2808-2812. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.056
Citation: Lü Hui-Min, Chen Guang-De, Yan Guo-Jun, Ye Hong-Gang. 2007: The growth mechanism of monocrystal aluminum nitride nanowires at low temperature, Acta Physica Sinica, 56(5): 2808-2812. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.056
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低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究

  • 西安交通大学应用物理系,西安,710049;西安理工大学应用物理系,西安,710048

  • 西安交通大学应用物理系,西安,710049

The growth mechanism of monocrystal aluminum nitride nanowires at low temperature

  • 摘要: 在25mL的不锈钢反应釜中,利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,成功地合成出了单晶氮化铝纳米线,反应温度为450℃,有效反应时间为24 h.高分辨率透射电子显微镜测试结果显示,纳米线多为长直线状外貌特征,直径在40-60 nm范围内,最大长度可达几个微米.高分辨率电子衍射和X射线衍射结果都表明,多数纳米线为六方结构,也有少量呈现面心立方结构.同时,提出了长直线状六方和面心立方单晶氮化铝纳米线的生长机理的假设,并对六方单晶氮化铝纳米线生长方向的人工控制也进行了讨论.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-05-30

低温条件下单晶氮化铝纳米线生长机理的研究

  • 西安交通大学应用物理系,西安,710049;西安理工大学应用物理系,西安,710048
  • 西安交通大学应用物理系,西安,710049

摘要: 在25mL的不锈钢反应釜中,利用无水三氯化铝与叠氮化钠在无溶剂的条件下直接反应,成功地合成出了单晶氮化铝纳米线,反应温度为450℃,有效反应时间为24 h.高分辨率透射电子显微镜测试结果显示,纳米线多为长直线状外貌特征,直径在40-60 nm范围内,最大长度可达几个微米.高分辨率电子衍射和X射线衍射结果都表明,多数纳米线为六方结构,也有少量呈现面心立方结构.同时,提出了长直线状六方和面心立方单晶氮化铝纳米线的生长机理的假设,并对六方单晶氮化铝纳米线生长方向的人工控制也进行了讨论.

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