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一维二元非对角关联无序体系跳跃电导特性

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马松山, 徐慧, 刘小良, 王焕友. 2007: 一维二元非对角关联无序体系跳跃电导特性, 物理学报, 56(5): 2852-2857. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.063
引用本文: 马松山, 徐慧, 刘小良, 王焕友. 2007: 一维二元非对角关联无序体系跳跃电导特性, 物理学报, 56(5): 2852-2857. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.063
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Ma Song-Shan, Xu Hui, Liu Xiao-Liang, Wang Huan-You. 2007: Characteristics of hopping conductivity in one-dimensional binary disordered system with off-diagonal correlations, Acta Physica Sinica, 56(5): 2852-2857. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.063
Citation: Ma Song-Shan, Xu Hui, Liu Xiao-Liang, Wang Huan-You. 2007: Characteristics of hopping conductivity in one-dimensional binary disordered system with off-diagonal correlations, Acta Physica Sinica, 56(5): 2852-2857. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.063
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一维二元非对角关联无序体系跳跃电导特性

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083

Characteristics of hopping conductivity in one-dimensional binary disordered system with off-diagonal correlations

  • 摘要: 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电导率,探讨了格点能量无序度、非对角关联及温度、外场对体系跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元无序体系的直流电导率随着格点能量无序度的增大而减小;当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,从而使体系的直流电导率增大;温度对体系的电子输运的影响表现为体系的直流电导率随温度的升高而增大;在外加电场的调制下,体系的直流电导率在强场区随电场强度增加而增长很快,呈现出非欧姆定律特性,但在弱场区外场的作用不明显.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-05-30

一维二元非对角关联无序体系跳跃电导特性

  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083;中南大学材料科学与工程学院,长沙,410083
  • 中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083

摘要: 在单电子紧束缚无序模型基础上,建立了一维二元关联无序体系电子跳跃输运直流电导模型,并推导了其直流电导公式,通过计算其直流电导率,探讨了格点能量无序度、非对角关联及温度、外场对体系跳跃电导的影响.计算结果表明,一维二元无序体系的直流电导率随着格点能量无序度的增大而减小;当引入非对角关联时,体系出现退局域化现象,从而使体系的直流电导率增大;温度对体系的电子输运的影响表现为体系的直流电导率随温度的升高而增大;在外加电场的调制下,体系的直流电导率在强场区随电场强度增加而增长很快,呈现出非欧姆定律特性,但在弱场区外场的作用不明显.

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