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微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

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许颖, 刁宏伟, 张世斌, 励旭东, 曾湘波, 王文静, 廖显伯. 2007: 微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层, 物理学报, 56(5): 2915-2919. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.075
引用本文: 许颖, 刁宏伟, 张世斌, 励旭东, 曾湘波, 王文静, 廖显伯. 2007: 微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层, 物理学报, 56(5): 2915-2919. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.075
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Xu Ying, Diao Hong-Wei, Zhang Shi-Bin, Li Xu-Dong, Zeng Xiang-Bo, Wang Wen-Jing, Liao Xian-Bo. 2007: Deposition of P-type no-SiC:H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells, Acta Physica Sinica, 56(5): 2915-2919. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.075
Citation: Xu Ying, Diao Hong-Wei, Zhang Shi-Bin, Li Xu-Dong, Zeng Xiang-Bo, Wang Wen-Jing, Liao Xian-Bo. 2007: Deposition of P-type no-SiC:H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells, Acta Physica Sinica, 56(5): 2915-2919. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.05.075
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微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

  • 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京,100083;北京市太阳能研究所有限公司,北京,100083

  • 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京,100083

  • 葡萄牙里斯本大学材料中心,里斯本2829-516,葡萄牙

  • 北京市太阳能研究所有限公司,北京,100083

Deposition of P-type no-SiC:H thin films with subtle carbon incorporation for applications in p-i-n solar cells

  • 摘要: 采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-05-30

微量掺碳ne-SiC:H薄膜用于p-i-n太阳电池的窗口层

  • 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京,100083;北京市太阳能研究所有限公司,北京,100083
  • 中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,凝聚态物理中心,北京,100083
  • 葡萄牙里斯本大学材料中心,里斯本2829-516,葡萄牙
  • 北京市太阳能研究所有限公司,北京,100083

摘要: 采用等离子增强化学气相沉积方法(PEVVD)制备了微量掺碳的p型纳米非晶硅碳薄膜(p-nc-SiC:H),反应气体为硅烷和甲烷,掺杂气体采用硼烷,沉积温度分别采用333 K,353 K和373 K.测量结果表明随着沉积温度增加和碳含量的增加,薄膜的光学带隙增加;薄膜具有较宽的带隙和较高的电导率,同时有较低的激活能(0.06 eV).Raman和XRD测量结果表明薄膜存在纳米晶.优化的p型纳米非晶硅碳薄膜作为非晶硅p-i-n太阳电池的窗口层,使得太阳电池的开路电压达到0.94 V.

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