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应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

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张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜. 2007: 应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究, 物理学报, 56(6): 3504-3508. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.077
引用本文: 张鹤鸣, 崔晓英, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜. 2007: 应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究, 物理学报, 56(6): 3504-3508. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.077
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zhang He-Ming, Cui Xiao-Ying, Hu Hui-Yong, Dai Xian-Ying, Xuan Rong-Xi. 2007: Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET, Acta Physica Sinica, 56(6): 3504-3508. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.077
Citation: zhang He-Ming, Cui Xiao-Ying, Hu Hui-Yong, Dai Xian-Ying, Xuan Rong-Xi. 2007: Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET, Acta Physica Sinica, 56(6): 3504-3508. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.077
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应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;中国电子科技集团第五研究所分析中心,广州,510610

Study on threshold voltage model of strained SiGe quantum well channel SOI PMOSFET

  • 摘要: 在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的Si SOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V,特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-06-30

应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET阈值电压模型研究

  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
  • 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;中国电子科技集团第五研究所分析中心,广州,510610

摘要: 在绝缘层附着硅(SOI)结构的Si膜上生长SiGe合金制作具有SiGe量子阱沟道的SOIp型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET),该器件不仅具有SOI结构的优点,而且因量子阱中载流子迁移率高,所以进一步提高了器件的性能.在分析常规的Si SOI MOSFET基础上,建立了应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的阈值电压模型和电流-电压(I-V)特性模型,利用Matlab对该结构器件的I-V,特性、跨导及漏导特性进行了模拟分析,且与常规结构的器件作了对比.模拟结果表明,应变SiGe SOI量子阱沟道PMOSFET的性能均比常规结构的器件有大幅度提高.

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