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低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜

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薛双喜, 王浩, S.P.Wong. 2007: 低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜, 物理学报, 56(6): 3533-3538. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.082
引用本文: 薛双喜, 王浩, S.P.Wong. 2007: 低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜, 物理学报, 56(6): 3533-3538. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.082
shu
Xue Shuang-Xi, Wang Hao, S.P.Wong. 2007: Low-temperature ordered CoPtCu/Ag nanocomposite film with(001)texture, Acta Physica Sinica, 56(6): 3533-3538. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.082
Citation: Xue Shuang-Xi, Wang Hao, S.P.Wong. 2007: Low-temperature ordered CoPtCu/Ag nanocomposite film with(001)texture, Acta Physica Sinica, 56(6): 3533-3538. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.082
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低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜

  • 台州学院物理与电子工程学院,临海,317000

  • 湖北大学物理学与电子技术学院暨纳米技术研究中心,武汉,430062

  • 香港中文大学电子工程系,香港

Low-temperature ordered CoPtCu/Ag nanocomposite film with(001)texture

  • 摘要: 采用磁控溅射(Ag/Cu/CoPt)n多层膜先驱体结合真空退火的方法制备了一系列CoPtCu/Ag纳米复合薄膜,通过优化薄膜中Ag以及Cu的含量,成功制备出了低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜,该膜在450℃退火即可发生相变,该温度比目前所报导的CoPtAg纳米复合膜的相变温度降低了150℃.实验结果表明,薄膜中一定含量的Ag元素能够有效诱导薄膜的(001)取向,Cu元素的加入能有效降低薄膜的有序化温度.对于特定组分为Co40Pt36Cu8Ag16的薄膜,经500℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.0×105 A/m,并且薄膜中晶粒尺寸仅为4-5 nm,为将来CoPt-L10有序相合金薄膜用于超高密度垂直磁记录介质打下了基础.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-06-30

低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜

  • 台州学院物理与电子工程学院,临海,317000
  • 湖北大学物理学与电子技术学院暨纳米技术研究中心,武汉,430062
  • 香港中文大学电子工程系,香港

摘要: 采用磁控溅射(Ag/Cu/CoPt)n多层膜先驱体结合真空退火的方法制备了一系列CoPtCu/Ag纳米复合薄膜,通过优化薄膜中Ag以及Cu的含量,成功制备出了低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜,该膜在450℃退火即可发生相变,该温度比目前所报导的CoPtAg纳米复合膜的相变温度降低了150℃.实验结果表明,薄膜中一定含量的Ag元素能够有效诱导薄膜的(001)取向,Cu元素的加入能有效降低薄膜的有序化温度.对于特定组分为Co40Pt36Cu8Ag16的薄膜,经500℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.0×105 A/m,并且薄膜中晶粒尺寸仅为4-5 nm,为将来CoPt-L10有序相合金薄膜用于超高密度垂直磁记录介质打下了基础.

English Abstract

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