高级搜索

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

,  ,  ,  ,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

刘磊, 任晓敏, 周静, 王琦, 熊德平, 黄辉, 黄永清. 2007: 横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型, 物理学报, 56(6): 3570-3576. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.088
引用本文: 刘磊, 任晓敏, 周静, 王琦, 熊德平, 黄辉, 黄永清. 2007: 横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型, 物理学报, 56(6): 3570-3576. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.088
shu
Liu Lei, Ren Xiao-Min, Zhou Jing, Wang Qi, Xiong De-Ping, Huang Hui, Huang Yong-Qing. 2007: Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth, Acta Physica Sinica, 56(6): 3570-3576. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.088
Citation: Liu Lei, Ren Xiao-Min, Zhou Jing, Wang Qi, Xiong De-Ping, Huang Hui, Huang Yong-Qing. 2007: Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth, Acta Physica Sinica, 56(6): 3570-3576. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.06.088
shu

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

  • 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876

  • 北京邮电大学继续教育学院,北京,100876

Growth rate model of InP epitaxial lateral overgrowth

  • 摘要: 分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程,建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型.在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下,模拟得到了生长速率随掩膜,窗口宽度(m/w)变化的关系.通过讨论掩膜/窗口宽度的影响,说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素.以上结论与实验结果一致.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  483
  • HTML全文浏览数:  150
  • PDF下载数:  26
  • 施引文献:  0
出版历程
  • 刊出日期:  2007-06-30

横向外延过生长磷化铟材料的生长速率模型

  • 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876
  • 北京邮电大学继续教育学院,北京,100876

摘要: 分别考虑气相扩散和掩膜表面扩散过程,建立了金属有机化学气相沉积条件下横向外延过生长的速率模型.在砷化镓衬底上外延磷化铟条件下,模拟得到了生长速率随掩膜,窗口宽度(m/w)变化的关系.通过讨论掩膜/窗口宽度的影响,说明了掩膜宽度、窗口宽度以及有效掩膜宽度是决定生长速率的关键因素.以上结论与实验结果一致.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回