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背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

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乔明, 张波, 李肇基, 方健, 周贤达. 2007: 背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响, 物理学报, 56(7): 3990-3995. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.058
引用本文: 乔明, 张波, 李肇基, 方健, 周贤达. 2007: 背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响, 物理学报, 56(7): 3990-3995. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.058
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Qiao Ming, Zhang Bo, Li Zhao-ji, Fang Jian, Zhou Xian-Da. 2007: Analysis of the back-gate effect on the breakdown behavior of lateral high-voltage SOI transistors, Acta Physica Sinica, 56(7): 3990-3995. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.058
Citation: Qiao Ming, Zhang Bo, Li Zhao-ji, Fang Jian, Zhou Xian-Da. 2007: Analysis of the back-gate effect on the breakdown behavior of lateral high-voltage SOI transistors, Acta Physica Sinica, 56(7): 3990-3995. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.058
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背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

  • 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

Analysis of the back-gate effect on the breakdown behavior of lateral high-voltage SOI transistors

  • 摘要: 提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(＞600 V)击穿特性的影响,在背栅电压为330 V时,实现器件击穿电压1020 V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600 V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-07-30

背栅效应对SOI横向高压器件击穿特性的影响

  • 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054

摘要: 提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分布,降低体内漏端电场,提高体内源端电场,从而突破习用结构的纵向耐压限制,提高器件的击穿电压.借助二维数值仿真,分析背栅效应对厚膜高压SOI LDMOS(＞600 V)击穿特性的影响,在背栅电压为330 V时,实现器件击穿电压1020 V,较习用结构提高47.83%.该技术的提出,为600 V以上级SOI基高压功率器件和高压集成电路的实现提供了一种新的设计思路.

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