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分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试

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延凤平, 郑凯, 王琳, 李一凡, 龚桃荣, 简水生, 尾形健一, 小池一步, 佐佐诚彦, 井上正崇, 矢野满明. 2007: 分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试, 物理学报, 56(7): 4127-4131. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.081
引用本文: 延凤平, 郑凯, 王琳, 李一凡, 龚桃荣, 简水生, 尾形健一, 小池一步, 佐佐诚彦, 井上正崇, 矢野满明. 2007: 分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试, 物理学报, 56(7): 4127-4131. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.081
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Yan Feng-Ping, Zheng Kai, Wang Lin, Li Yi-Fan, Gong Tao-Rong, Jian Shui-Sheng, K.Ogata, K.Koike, S.Sasa, M.Inoue, M.Yano. 2007: Measurement of thickness and refractive index of Zn1-xMgxO film grown on sapphire substrate by molecular beam epitaxy, Acta Physica Sinica, 56(7): 4127-4131. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.081
Citation: Yan Feng-Ping, Zheng Kai, Wang Lin, Li Yi-Fan, Gong Tao-Rong, Jian Shui-Sheng, K.Ogata, K.Koike, S.Sasa, M.Inoue, M.Yano. 2007: Measurement of thickness and refractive index of Zn1-xMgxO film grown on sapphire substrate by molecular beam epitaxy, Acta Physica Sinica, 56(7): 4127-4131. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.081
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分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试

  • 北京交通大学光波技术研究所,北京,100044;New Material Research Center,Osaka Institute of Technology

  • 北京交通大学光波技术研究所,北京,100044

  • Bio Venture Center,Osaka Institute of Technology

  • New Material Research Center,Osaka Institute of Technology

  • New Material Research Center,Osaka Institute of Technology;Bio Venture Center,Osaka Institute of Technology

Measurement of thickness and refractive index of Zn1-xMgxO film grown on sapphire substrate by molecular beam epitaxy

  • 摘要: 利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试.结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量,经数值拟合,导出表征薄膜厚度与薄膜生长条件、薄膜折射率与薄膜中的Mg组成量之间关系的曲线,为MBE法在Sapphire衬底上生长Zn1-xMgxO薄膜时控制薄膜厚度以及在制作Zn1-xMgxO薄膜的波导时控制薄膜的折射率提供了理论依据.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-07-30

分子束外延法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜折射率及厚度的测试

  • 北京交通大学光波技术研究所,北京,100044;New Material Research Center,Osaka Institute of Technology
  • 北京交通大学光波技术研究所,北京,100044
  • Bio Venture Center,Osaka Institute of Technology
  • New Material Research Center,Osaka Institute of Technology
  • New Material Research Center,Osaka Institute of Technology;Bio Venture Center,Osaka Institute of Technology

摘要: 利用偏振光椭圆率测量仪对分子束外延(MBE)法在Sapphire衬底上生长的Zn1-xMgxO薄膜的薄膜折射率和厚度进行了测试.结合ICP法测得的薄膜中的Mg组成量,经数值拟合,导出表征薄膜厚度与薄膜生长条件、薄膜折射率与薄膜中的Mg组成量之间关系的曲线,为MBE法在Sapphire衬底上生长Zn1-xMgxO薄膜时控制薄膜厚度以及在制作Zn1-xMgxO薄膜的波导时控制薄膜的折射率提供了理论依据.

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