Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

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林桂江, 周志文, 赖虹凯, 李成, 陈松岩, 余金中. 2007: Si/SiGe量子级联激光器的能带设计, 物理学报, 56(7): 4137-4142. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.083
引用本文: 林桂江, 周志文, 赖虹凯, 李成, 陈松岩, 余金中. 2007: Si/SiGe量子级联激光器的能带设计, 物理学报, 56(7): 4137-4142. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.083
Lin Gui-Jiang, Zhou Zhi-Wen, Lai Hong-Kai, Li Cheng, Chen Song-Yan, Yu Jin-Zhong. 2007: Energy band design for Si/SiGe quantum cascade laser, Acta Physica Sinica, 56(7): 4137-4142. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.083
Citation: Lin Gui-Jiang, Zhou Zhi-Wen, Lai Hong-Kai, Li Cheng, Chen Song-Yan, Yu Jin-Zhong. 2007: Energy band design for Si/SiGe quantum cascade laser, Acta Physica Sinica, 56(7): 4137-4142. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.07.083

Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

Energy band design for Si/SiGe quantum cascade laser

  • 摘要: 详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGe/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGexSi量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-07-30

Si/SiGe量子级联激光器的能带设计

  • 厦门大学物理系,厦门大学半导体光子学研究中心,厦门,361005
  • 厦门大学物理系,厦门大学半导体光子学研究中心,厦门,361005;中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室,北京,100083

摘要: 详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGe/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGexSi量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si/SiGe量子级联激光器结构.

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